TNXCL-300 mm极低氧含量直拉硅单晶.pdf

ICS29.045

CCSH82

NXCL

宁夏材料研究学会团体标准

T/NXCLXXXX—2023

300mm直拉极低氧含量硅单晶

300mmextremelylowoxygencontentsinglecrystalineCzochralskisilicon

（征求意见稿）

在提交反馈意见时，请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上。

XXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施

宁夏材料研究学会  发布

T/NXCLXXXX—2023

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定

起草。

本文件由宁夏材料研究学会提出。

本文件由宁夏材料研究学会归口。

本文件起草单位：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司、北方民族大学、杭州中欣晶圆半导体股份有

限公司、厦门大学、宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司、宁夏高创特能源科技有限公司。

本文件主要起草人：芮阳、商润龙、王黎光、杨少林、陈亚、赵泽慧、白圆、马成、曹启刚、王忠

保、熊欢、李聪、王云峰、李长苏、顾燕滨、盛之林、黄柳青、盛旺。

I

T/NXCLXXXX—2023

300mm直拉极低氧含量硅单晶

1范围

本文件规定了300mm直拉极低氧含量硅单晶的技术要求、试验方法、检验规格以及标志、包装、

运输、贮存和质量承诺等方面的内容。

本文件适用于以电子级多晶硅为主要原材料，采用直拉法制备的直径为300mm的极低氧含量硅单

晶。产品主要用于绝缘栅双极晶体管（IGBT）等功率器件的的衬底。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其必威体育精装版版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法

GB/T1551硅单晶电阻率测定方法

GB/T1554硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法

GB/T1555半导体单晶晶向测定方法

GB/T1557硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法

GB/T1558硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法

GB/T11073硅片径向电阻率变化的测量方法

GB/T12963—2014电子级多晶硅

GB/T14140硅片直径测量法方法

GB/T14144硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法

GB/T14264半导体材料术语

GB/T29504300mm硅单晶

YS/T769非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法

3术语和定义

GB/T14264界定的术语及定义适用于本文件。

4技术要求

4.1原材料

原材料多晶硅应满足GB/T12963—2014第4.2条中电子级多晶硅2级要求，具体指标见表1。

表1多晶硅主要性能要求

项目指标要求

施主杂质浓度，10-9≤0