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一曼苎纳米器件与技术

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RTD器件参数和测量方法

共振隧穿器件讲座(8)

——

郭维廉

(天津工业大学信息与通讯工程学院,天津300160;专用集成电路国家级重点实验室,

石家庄050051;天津大学电子信息工程学院,天津300072)

摘要:表征RTD器件特性和性能的参数分为直流负阻、等效电路及频率响应和开关时间三类。

系统全面地介绍这三类参数及其测量方法,为测量和评价kTD的器件性能打下良好的基础。

关键词:RTD特性和测量;测量方法;直流参数;电路参数;瞬态参数

中图分类号:TN31文献标识码:A文章编号:1671—4776(2006)12—0564—08

DeviceParametersandMeasurementMethodofⅪID:

Lecture0RTD(8)f

GU0rei.1ian

(SchooolfInformationandCommunicatoinEng.。TianjinPolytechnicUniversity,Tianjin30o16o。China;

NationalKeyLa60r哟,yofASIC,Shijiazhuang05 ̄51,China;

SchooolfElectronicInformatoinEng.,TianjinUniversity。Tianjin300072,China)

Abstract:Theparame ̄rsforcharacterizingtheRTDdeviceperformanceanddevicecharacteris-

ticscanbedividedintofollowingthreeclasses:D.C.NDRparameters;equivalentcircuitparmae—

ters;frequencyresponseandswitchingtime.Thethreekindsofparmaetersandmeasuringmet—

hodswereintroducedsystematicallyandcompletely.Itmakesagoodbasisofrmeasuringand

evaluatingthedeviceperformanceofRTD.

Keywords:characterizationandmeasurementonRTD;measurementmethod;D.C.parmaeters;

circuitparameters;re印onseparameters

小信号等效电路特性和器件在高频或高速工作时的

1引

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