AI行业跟踪报告第41期：HBM受益AI浪潮，建议关注赛腾股份.docx

目 录

TOC\o1-2\h\z\u1、HBM：AI平台积极搭载HBM产品，行业快速增长 4

HBM需求增长，HBM3e产出放量 4

行业持续迭代发展 5

2、苹果：AI时代开启 5

苹果端侧大模型登陆，或开启AIphone新纪元 5

苹果M4芯片发布，堪称AIPC最强芯片 6

苹果2024首场发布会多款产品升级，M4芯片赋能ipadPro 7

3、赛腾股份：深耕消费电子，HBM业务带动成长 8

4、投资建议 9

5、风险分析 9

图表目录

图表1：HBM带宽和功耗比较 4

图表2：各世代HBM堆叠高度及供应商堆叠技术 5

图表3：2023-2027年AI手机在中国市场出货量及占比 6

图表4：苹果M4芯片性能 6

图表5：PadPro性能示意图 7

图表6：苹果M4芯片示意图 7

图表7：iPadAir各类颜色外观 8

图表8：iPadAir基本性能 8

图表9：赛腾股份盈利预测 9

1、HBM：AI平台积极搭载HBM产品，行业快速增长

HBM需求增长，HBM3e产出放量

HBM是高端AI芯片上搭载的存储器，属于DRAM中的一个类别，主要由三大供应商三星（Samsung）、SK海力士（SKhynix）与美光（Micron）供应。随着AI浪潮带动AI芯片需求，对HBM需求量有望提升。以规格而言，伴随AI芯片需要更高的效能，HBM主流产品将在2024年移转至HBM3与HBM3e。

图表1：HBM带宽和功耗比较

资料来源：海力士公开路演PPT《hynixTechSeminar_HBM（2023）》

根据TrendForce集邦咨询必威体育精装版调查，Samsung（三星）、SKhynix（SK海力士）与Micron（美光）已分别于2024年上半年和第三季提交首批HBM3e12hi样品，目前处于持续验证阶段。其中SKhynix与Micron进度较快，有望于今年底完成验证。

TrendForce集邦咨询预估，受AI平台积极搭载新世代HBM产品推动，2025年的HBM需求将有近80%落在HBM3e世代产品上，其中12hi的占比将超过一半，有望成为明年下半年AI主要厂商争相竞争的主流产品。TrendForce集邦咨询预估2025年HBM将贡献10%的DRAM总产出，较2024年增长一倍。由于HBM平均单价高，估计对DRAM产业总产值的贡献度有望突破30%。

据TrendForce集邦咨询研究，三大原厂开始提高先进制程的投片，继存储器合约价翻扬后，公司资金投入开始增加，产能提升将集中在今年下半年，预期1alphanm（含）以上投片至年底将占DRAM总投片比重约40%。以各家TSV产能来看，至2024年底HBM将占先进制程比重35%。TrendForce集邦咨询表示，今年HBM3e将是市场主流，集中在2024年下半年出货。

行业持续迭代发展

HBM产品已成为DRAM产业关注的焦点，带动HybridBonding(混合键合)等先进封装技术发展备受瞩目。根据TrendForce集邦咨询必威体育精装版研究，三大HBM原厂正在考虑是否于HBM416hi采用HybridBonding，并已确定将在HBM520hi世代中使用这项技术。

图表2：各世代HBM堆叠高度及供应商堆叠技术

资料来源：TrendForce

与已广泛使用的MicroBump(微凸块)堆叠技术相比，HybridBonding由于不配置凸块，可容纳较多堆叠层数，也能容纳较厚的晶粒厚度，以改善翘曲问题。使用HybridBonding的芯片传输速度较快，散热效果也较好。

TrendForce集邦咨询表示，三大原厂已确定将在HBM3e12hi及HBM412hi世代延续使用AdvancedMR-MUF及TC-NCF堆叠架构。对于HBM416hi和HBM4e16hi世代，因HybridBonding未较MicroBump具明显优势，尚无法断定哪一种技术能受青睐。若原厂决定采用HybridBonding，主要原因应是为及早经历新堆叠技术的学习曲线，确保后续HBM4e和HBM5顺利量产。三大业者考量堆叠高度限制、IO密度、散热等要求，已确定于HBM520hi世代使用HybridBonding。

2、苹果：AI时代开启

苹果端侧大模型登陆，或开启AIphone