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原理图检查规范
序号
评审内容
结论
1
尽量选择公司现有芯片,尽量选工业级芯片。
满足□/不满足□
2
必须满足方案中描述的所有的功能性能指标。
满足□/不满足□
3
必须首先要遵循芯片的管脚定义、DC/AC特性来进行设计。
满足□/不满足□
4
接口处电源信号使用大电容(=10uF)与小电容(=0.1uF)滤波。
满足□/不满足□
5
复位、中断信号等敏感输入信号在接口处上拉(或者根据信号的特性下拉),并使用几十pF的电容滤波。
满足□/不满足□
6
在布局空间允许的情况下,所有信号与外界隔离。可以采用buffer、光耦、MOS等手段。
满足□/不满足□
7
根据信号的要求,选择不一样,对高速信号要求用隔离噪声小速率高的光耦。
满足□/不满足□
8
LBE总线地址、数据、片选等高速信号在buffer隔离之后,在布局空间允许的情况下,建议采用串联电阻端接以吸收反射。
满足□/不满足□
10
对连接器,电源、地、大电流信号需要分配更多的接口管脚。
满足□/不满足□
11
根据使用环境,和接口的实际用途,考虑接口是否需要SURGEESD处理。
满足□/不满足□
12
首先要求能提供的电流必须有较大的冗余,然后开始选型。电感,滤波电容等注意事项及其估算。
满足□/不满足□
13
大电流采用DC-DC芯片或电源模块,小电流采用LDO芯片,必须满足芯片的上电时序;
满足□/不满足□
15
各种地直接通过0805封装的磁珠,或0欧电阻连接。光耦、模拟信号、接口信号等等必须要搞清楚参考的地到底是哪个地,并用该地来作为参考。
满足□/不满足□
16
中断根据实际情况,尽可能采用电平触发模式。
满足□/不满足□
17
几个片选和IO口根据实际多引出到CPLD以供到时候有可能需要。
满足□/不满足□
18
以太网MIITX侧串联22或33欧电阻以吸收反射。
满足□/不满足□
19
VDDPLL注意滤波处理。
满足□/不满足□
20
SDRAM和FLASH建议做pin对pin的容量兼容设计。
满足□/不满足□
21
32X总线如果以下情况:外围设备挂了6个或者6个以上,总线一定加上buffer。
满足□/不满足□
22
ARM9总线为Little-endian模式,要注意总线顺序。
满足□/不满足□
23
注意CPLD本身版本号和PCB版本号及PCB板类型软件要么从CPLD外围的上下拉电阻读取,要么直接写在CPLD寄存器内。
满足□/不满足□
24
CPLD走线考虑每个Bank的布线和资源.
满足□/不满足□
25
硬件看门狗最好做在CPLD里。
满足□/不满足□
26
外部复位输入、手动复位输入信号都接入CPLD,加上看门狗复位等复位功能,共同从CPLD输出复位信号送到复位芯片。
满足□/不满足□
27
在能使用晶振的地方,都不使用晶体,以提高可靠性。
满足□/不满足□
28
时钟不能驱动多个负载。多个负载需要使用时钟驱动芯片。
满足□/不满足□
29
如果自己通过CPLD产生时钟,在没有特殊要求的情况下,占空比设置为50%。
满足□/不满足□
30
晶振的电源使用磁珠隔离。
满足□/不满足□
31
为保证上电、初始化阶段输出的电平正常,串口信号输出在源端上拉。
满足□/不满足□
32
Phy和Switch注意差分信号的匹配,电源滤波,地址的确认,速率及全双工等的配置。
满足□/不满足□
33
注意隔离,AD的前端隔离,DA的后端隔离。隔离器件的阻抗要足够大,建立时间要足够快。
满足□/不满足□
34
基准电压建议使用专用芯片产生;注意模拟信号的参考电源、参考地。
满足□/不满足□
35
在某些情况下,可以考虑使用交流耦合电容,直流分量由自己产生;注意AD/DA关键参数。
满足□/不满足□
36
运放的输出端与反馈端,即反馈线路上保留几十pF的滤波电容的位置。
满足□/不满足□
37
注意运放关键参数。主要应用领域。
满足□/不满足□
38
模拟厂家一般选择:TI,ADI,Maxium。
满足□/不满足□
39
根据芯片内阻选择合适阻值进行源端串联端接,或者根据推荐采用末端端接的方式。
满足□/不满足□
40
注重连接器品质(包括强度,损耗,形变,流量,阻抗等),尽量选用知名厂家;如:FCI,AMP,Tyco,3M,CONEC,Molex等。
满足□/不满足□
41
连接器的走线,考虑实际情况,线序注意连接方便,抗干扰地的屏蔽,电流量大小。
满足□/不满足□
42
电阻使用要注意功率。尤其是差分信号的匹配电阻,和电阻用于分压的情况。
满足□/不满足□
43
为了以后产品化生产,所以在设计主板时,考虑方便测试板的接口设计。
满足□/不满足□
44
可测试性:关键测试引脚或测试点的引出,便于测试,故障定位。
满足□/不满足□
45
考
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