电池保护电路介绍(基础).pptVIP

锂离子电池保护电路介绍概要保护电路基本构成各元器件简要介绍保护电路工作原理保护电路的发展趋势保护电路基本构成保护电路使用的元件有：保护IC、场效应管（MOSFET）、贴片电阻、贴片电容、热敏电阻、识别电阻（或识别IC)、保险丝、PTC等。元器件简要介绍元器件简要介绍---场效应管一、概述：场效应管是电压控制器件，缩写为FET。元器件简要介绍---保护IC单节保护电路工作原理工作过程说明：1、充电过程接上充电器，充电电流经P+、保护器对电芯充电，经MOS管、P-回到充电器，随着充电不断进行电芯电压逐步上升。当电芯电压上升到VDET1，保护IC通过VDD、VSS检测到此电压，经过tVDET1的延迟后，COUT端变成低电平，充电MOS管关断，充电截止。注：当VDD电压降低至过充解除电压VREL1以下（不接负载）或VDD降低至过充电关断电压VDET1以下（加上负载），即可恢复到可充电状态；单节保护电路工作原理2、放电过程当输出端接上负载，电芯经保护器、P+对负载放电，放电电流经P-、MOS管回到电芯。随着放电不断进行电芯电压逐步下降。当电芯电压下降至VDET2，保护IC检测到此电压，经过tVDET2的延迟后，DOUT端变成低电平，放电MOS管关断，放电截止。单节保护电路工作原理3、过电流过程放电过程中负载变化，当负载电流过大，IC的V-端检测的电压达到VDET3时，经过tVDET3的延迟后，DOUT端变成低电平，放电MOS管关断，过电流截止。注：当过流、短路解除后电路即可恢复正常。单节保护电路工作原理单节保护电路工作原理二级保护二级保护二级保护元件：PTC/FUSEPTC：可恢复，内阻高，尺寸占用空间大贴片FUSE：一次熔断不可恢复，内阻小，占用空间小，误动作几率高保护电路发展趋势1、保护IC与场效应管组合封装成一个元件；2、保护IC、场效应管、电阻、电容组合封装在一个元件；3、保护IC、场效应管、电阻、电容组合封装在一个模块，即COB（CHIPONBOARD）；**一、控制电路二、控制开关三、保护器另外：部分保护电路还有温度保护、识别功能。保护电路基本构成防止流过电池的电流过大，切断电流回路保险丝流过电流过大时自身阻抗增加，控制回路电流PTC检测电池块内的环境温度热敏电阻滤波、调节延迟时间贴片电容限流贴片电阻起开关作用场效应管检测保护电路当前电池的电压、电流、时间等参数以此来控制场效应管的开关状态保护IC功能元器件二、类型：有N沟道与P沟道两种N沟道：高电平导通P沟道：低电平导通三、基本参数：耐压：VDSS、VGSS耐流：ID(DC)、ID(pulse)内阻：RDS(on）封装：SO-8、TSSOP-86IPHWSON、ECH8一、概述:保护IC分单节保护IC与多节（串联）用保护IC，基本功能：过充保护、过放保护、过流保护、短路保护等；二、单节保护IC1、管脚说明：2、封装（尺寸）：SOT-23-6、SON6、SOT-23-5、SON5电源正极VDD5地VSS6延时控制输入端Ct4过充电控制输出端COUT3过电流控制输入端V-2过放电控制输出端DOUT1功能类型序号4、短路保护过程当P+、P-短路，回路中的电流急剧增加，IC的V-端检测的电压达到VSHORT时，经过tSHORT的延迟后，DOUT端变成低电平，放电MOS管关断，进入短路保护状态。参数说明:VDET1—过充电检测电压，VDET2—过放电检测电压，VDET3—过电流检测电压，tVDET1--过充电检测延时，tVDET2--过放电检测延时，tVDET2--过电流检测延时，V--保护IC的V-脚对VSS脚的压降，VSHORT-短路保护检测电压，tSHORT-短路保护检测延时；5、NTC、ID与手机内部电路配合（比较电路），跟客户要求有关，客户必须确定参数给我们。ID：阻值NTC：阻值、B常数二级保护二级保护是在一级保护失效后的补充。缺点：1、成本高2、一级保护失效概率微乎其微3、电芯