EEPROM读写周期时间的测试方法 .pdfVIP

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(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN102842344A

(43)申请公布日2012.12.26

(21)申请号CN201210302880.9

(22)申请日2012.08.24

(71)申请人湖北航天技术研究院计量测试技术研究所

地址430000湖北省孝感市长征路95号

(72)发明人袁云华李永梅王炳军

(74)专利代理机构武汉开元知识产权代理有限公司

代理人徐祥生

(51)Int.CI

G11C29/56

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

EEPROM读写周期时间的测试方法

(57)摘要

本发明涉及EEPROM读写周期时

间的测试方法,包括以下步骤:编写前2

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1.一种EEPROM读写周期时间的测试方法,包括以下步骤:

a.编写测试图形向量;

a11.根据被测EEPROM“页写”的大小以及测试系统图形发生器的容

量,设置所编写的图形向量为前2supn/sup(0≤n≤5)页存储单元的写操

作图形向量和读操作图形向量;

a12.选择第一页存储单元;

a13.设置背景数据;

a14.根据器件详细规范规定的写周期时间和实际运行速率,按

公式“写周期时间=速率×循环次数”设置循环次数;

a15.发写命令,写入背景数据;

a16.将步骤a15重复步骤a14所述的次数,直至将背景数据全

部写入。

a17.选择下一页存储单元,设置不同的背景数据;重复步骤a14~

a16,直至步骤a11所述存储单元全部写操作完成;

a21.选择第一个存储单元;

a22.发读命令,读出存储单元当前的数据;

a23.选择下一个地址单元,重复步骤a22,直至步骤a11所述存

储单元全部读操作完成;

b.测试写周期时间:

b1.设置写周期时间为tsubWC/sub的最大值,运行写操作图形向量,对

步骤a11所述的存储单元进行写操作;

b2.等待写周期时间tsubWC/sub,将背景数据全部写入步骤a11所述的

存储单元;

b3.设置读周期时间为tsubRC/sub极限值的5~10倍,运行读操作图形向

量,进行一次读操作,读出步骤a11所述存储单元内当前的数据;

b4.比较步骤b3读出的数据与背景数据是否相同。若相同,则

步骤a11所述存储单元的写周期时间测试合格;

b5.将高位地址线逐位反相,选定下一个2supn/sup(0≤n≤5)页存储单元,

重复步骤b1~b4,直到被测EEPROM所有存储单元的写周期时间都

测试完毕。

b6.若所有存储单元写周期时间均测试合格,则被测器件的写周

期时间测试合格,否则测试不合格。

c.测试读周期时间:

c1.设置写周期时间为tsubWC/sub极限值的5~10倍,运行写操作图形向

量,并等待tsubWC/sub极限值5~10倍的时间,将背景数据写入

步骤a11所述的存储单元;

c2.将高位地址线逐位反相,选定下一个2supn/sup(0≤n≤5)页存储单元,

重复步骤c1,直到将背景数据写入全部存储单元;

c3.设置读周期时间为tsubRC/sub的最小值,运行读操作图形向量,进

行一次读操作,读出步骤a11所述存储单元内的实际数据;

c4.比较步骤c3读出的数据与

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