硅片和硅基材料行业发展分析与投资前景分析报告.pptx

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硅片和硅基材料行业发展分析与投资前景分析报告汇报人:汇报时间2023

目录CONTENTS010302040506硅片和硅基材料发展环境硅片和硅基材料发展趋势硅片和硅基材料投资分析硅片和硅基材料竞争格局硅片和硅基材料现状分析硅片和硅基材料行业综述

行业定义行业产业链发展历程硅片和硅基材料行业概述01

硅片和硅基材料行业定义应用于半导体行业的硅片是半导体硅片,又称硅晶圆,是制造集成电路的重要基础材料。半导体硅片利用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成,其纯度要求达到99.99999%(7N9)以上,先进的制程工艺纯度要求达到99.999999999%(11N9)。半导体硅基是在硅片基础上做外延从而得到的硅基材料。根据在硅片和硅基材料行业有8年市场运营经验的专家表示,在半导体行业中,硅片和硅基都是作为半导体衬底材料使用,硅基材料占99%,其中90%以上的硅基以纯硅材料为衬底,剩下的10%是由化合材料制作而成。硅片和硅基均具有导电性、热敏性、光电特性和掺杂特性等性能,是用于制成集成电路、分立器件和光电子器件的重要材料,作为集成电路和各类器件能量转换功能的媒介,被广泛应用于汽车、家用电器、消费电子、信息通讯等领域的半导体中。硅片和硅基材料根据加工工序可分为抛光片、退火片、外延片、节隔离片和SOI片。其中抛光片是应用范围最广的硅片;退火片、外延片、节隔离片和SOI片是在抛光片的基础上做二次加工形成的硅片。行业定义

行业发展历期研发期(1956年-1967年)1956年,中国政府根据国外电子器件的发展进程,提出了研究半导体科学。1957年,北京电子管厂通过还原氧化锗,制造出锗单晶。同年,中国科学院应用物理研究所和二机部十局第十一所研发出锗晶体管、锗点接触二极管和三极管。1959年,天津市“601试验所”成功拉制出中国首颗硅单晶。1963年,中国河北省半导体研究所研制出硅平面型晶体管。1964年,中国河北省半导体研究所成功研制出硅外延平面型晶体管。1965年开始,中国多家研究单位(中国科学院半导体研究所、河北半导体研究所、北京市无线电技术研究所)陆续研制出集成电路,揭开了中国半导体晶体管和集成电路国产化序幕。快速发展期(2001年至今)自“十五”计划起,中国集成电路行业获得快速发展,大规模、超大规模集成电路愈发普及。硅片和硅基在消费电子、汽车和新一代电子技术等方面得到广泛运用,适合于大规模、超大规模集成电路用的硅片和硅基需求日趋增加。然而,制备硅片和硅基的技术被日本SUMCO和信越化学公司、韩国SKSiltron、德国Siltronic和环球晶圆所垄断,这几家企业占据全球半导体硅片和硅基市场份额的97%以上。初步发展期(1968年-1980年)为了发展集成电路,1968年,中国电子工业部组建了国营东光电工厂(878所)、上海无线电十九厂两家集成电路专业化工厂。1978年,878所建成中国第一条2英寸硅片和硅基生产线。1978年后,中国掀起了建设集成电路生产企业的热潮。这一阶段,中国共有40多家集成电路工厂建成,如北京市半导体器件二厂、三厂、五厂、常州半导体厂、苏州半导体厂、贵州873厂等。这些中国集成电路工厂从国外引进3英寸二手生产线设备,但由于当时处于低水平的重复引进,3英寸硅片的技术工艺未得到较大提升,导致最后建成投产的3英寸硅片生产线只有6-7条。其中878所于1980年建成中国第一条3英寸硅片和硅基生产线。在此阶段,中国集成电路工业生产初步形成,基本可满足各工业部门和科学院各研究所对集成电路的需求。调整发展期(1981年-2000年)中国改革开放背景下,这一时期,中国集成电路产业由自主探索阶段转入技术引进阶段。1982年,江苏无锡的江南无线电器材厂从日本东芝公司引进了一条完整的3英寸芯片生产线,包括制板、3英寸硅圆片加工和封装测试等。1984年,江南无线电器材厂的3英寸硅片产能已达3,000万块/年。在此期间,江南无线电器材厂成为中国技术最先进、规模最大、配套最全、具有工业化生产的专业化集成电路厂。

行业市场分析5868亿营收10.5%年复合增长率21462亿2020资产总额567.6亿净利润在全球电子信息行业发展加快背景下,全球信息电子行业产品将迎来新一轮变革。新一代物联网、人工智能等高科技产业的发展将推动全球半导体产业崛起,成为推动全球半导体硅片和硅基市场行业发展的主要动力,半导体硅片和硅基销售规模有望进一步扩大。除此之外,在中国政府鼓励半导体材料国产化的政策导向下,本土硅片和硅基材料厂商不断提升硅片和硅基研发能力和产品技术水平,逐渐打破了国外半导体厂商的垄断格局,推进中国硅片和硅基国产化进程。随着本土硅片和硅基厂商在8-12英寸硅片产能逐步释放,本土品牌企业有望迅速壮大,逐步进入全球硅片和硅基市场,促进全球硅

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