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第2章习题答案

1.概念题：

（1）常温下，N型半导体在导电时有空穴载流子参与吗？（有）P型半导体在导电时有电子载流子参与吗？（有）

（2）在不加外电压时，PN结内部有没有电子的运动？（有）将P极和N极相连并串接电流表会有电流指示吗？（无）

（3）PN结加正向电压时空间电荷区将变宽吗（不是）P+N结加反向电压哪边将变得更宽（N边）

（4）作漂移运动的一定是少数载流子吗？（不一定）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的吗？（是）

（5）拿2个二极管可否组成1个三极管？（不行）三极管可否当二极管用？（可以）

（6）下列哪些元件为双极型器件？（A、B）哪些元件为单极型器件？（C、D）

A.二极管、稳压管B.三极管C.结型场效应管D.MOS管

（7）H参数等效模型适合（A、C、D）。

A.中低频电路B.高频电路C.小信号输入D.交流分析

（8）UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有（A、C）。

A.结型场效应管B.增强型MOS管C.耗尽型MOS管

（9）半导体导电特征和金属导电的特征的不同点是电子和空穴都参与导电。

（10）二极管主要的特点是单向导电性，确保二极管安全工作的两个主要参数分别是最大整流电流和最大反向电压。

（11）在常温下，硅二极管的门槛电压约为0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V；锗二极管的门槛电压约为0.1V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.2V。

（12）某稳压管具有正的电压温度系数，那么当温度升高时，稳压管的稳压值将上升。

（13）将3V和6V的两个稳压管以正反方向及串并联进行组合，可得到5种有效的形式，等效稳压值分别为3V、9V、3.7V、6.7V、0.7。

（14）PN结具有结电容效应，凡用PN结组成的电子元件，在信号频率较高时必须考虑这种效应。

（15）变容二极管在工作时也要加偏置电路吗？（需要）发光二极管在工作时要串联一个电阻，否则会因电流过大而损坏。

（16）三极管输出特性曲线中饱和区和放大区的分界线标志为UCB=0，截止区和放大区的分界线标志为IB=0或IC=ICEO。

（17）当三极管工作在放大区时，两个PN结的特征是发射结正偏、集电结反偏。

（18）耗尽型FET管输出特性曲线中可变阻区和恒流区的分界线标志为UGD=UGS(off)，截止区和恒流区的分界线标志为UGS=UGS(off)；增强型FET管输出特性曲线中可变阻区和恒流区的分界线标志为UGD=UGS(th)，截止区和恒流区的分界线标志为UGS=UGS(th)。

（19）在0|UGS||UGS(off)|，|UGD||UGS(off)|且二者同号的前提下，JFET管或耗尽型MOS管工作在放大区。

（20）当N沟道增强型MOS管工作在放大区时，其外部管脚间的电压特征是

|UGS||UGS(th)，|UGD||UGS(th)|且二者同号。

2．如图2-64所示电阻分压式电路，输入电压ui为正弦信号，峰值为0～100V。要求输出uo为0～5V，输出阻抗小于1kΩ,分压精度优于1‰，请给出R1、R2的阻值、功率和精

度。R1

度。

+u

+ui

R2uo

__

_

图2-64习题2电路图

解：根据输出阻抗要求，选R2=1kΩ