模拟电子技术基础-知识点总结.docx

模拟电子技术复习资料总结

第一章半导体二极管

一.半导体的根底学问

1.半导体导电实力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅、锗)。

2.特性光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体纯净的具有单晶体构造的半导体。

4.两种载流子带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5.杂质半导体在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。表达的是半导体的掺杂特性。

*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素〔多子是空穴，少子是电子〕。

*N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素〔多子是电子，少子是空穴〕。

6.杂质半导体的特性

*载流子的浓度多子浓度确定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。

*体电阻通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

*转型通过变更掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。

7.结

*结的接触电位差硅材料约为，锗材料约为。

*结的单向导电性正偏导通，反偏截止。

8.结的伏安特性

二.半导体二极管

*单向导电性正向导通，反向截止。

*二极管伏安特性同ＰＮ结。

*正向导通压降硅管，锗管。

*死区电压硅管，锗管。

3.分析方法将二极管断开，分析二极管两端电位的上下:

假设V阳V阴(正偏)，二极管导通(短路);

假设V阳V阴(反偏)，二极管截止(开路)。

1〕图解分析法

该式与伏安特性曲线

的交点叫静态工作点Q。

2)等效电路法

直流等效电路法

*总的解题手段将二极管断开，分析二极管两端电位的上下:

假设V阳V阴(正偏)，二极管导通(短路);

假设V阳V阴(反偏)，二极管截止(开路)。

*三种模型

微变等效电路法

稳压二极管及其稳压电路

*稳压二极管的特性正常工作时处在结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。

第二章三极管及其根本放大电路

一.三极管的构造、类型及特点

1.类型分为和两种。

2.特点基区很薄，且掺杂浓度最低；放射区掺杂浓度很高，与基区接触

面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。

二.三极管的工作原理

1.三极管的三种根本组态

2.三极管内各极电流的安排

*共放射极电流放大系数(说明三极管是电流限制器件

式子称为穿透电流。

3.共射电路的特性曲线

*输入特性曲线同二极管。

*输出特性曲线

(饱和管压降，用表示

放大区放射结正偏，集电结反偏。

截止区放射结反偏，集电结反偏。

4.温度影响

温度上升，输入特性曲线向左移动。

温度上升、、以及β均增加。

三.低频小信号等效模型〔简化〕

输出端沟通短路时的输入电阻，

常用表示；

输出端沟通短路时的正向电流传输比，

常用β表示；

四.根本放大电路组成及其原则

1.、、、、C1、C2的作用。

2.组成原则能放大、不失真、能传输。

五.放大电路的图解分析法

1.直流通路与静态分析

*概念直流电流通的回路。

*画法电容视为开路。

*作用确定静态工作点

*直流负载线由确定的直线。

*电路参数对静态工作点的影响

1〕变更：Q点将沿直流负载线上下移动。

2〕变更：Q点在所在的那条输出特性曲线上移动。

3〕变更：直流负载线平移，Q点发生移动。

2.沟通通路与动态分析

*概念沟通电流流通的回路

*画法电容视为短路,志向直流电压源视为短路。

*作用分析信号被放大的过程。

*沟通负载线连接Q点和V’点V’=L’的

直线。

3.静态工作点与非线性失真

〔1〕截止失真

*产生缘由点设置过低

*失真现象管削顶，管削底。

*消退方法减小，提高Q。

〔2〕饱和失真

*产生缘由点设置过高

*失真现象管削底，管削顶。

*消退方法增大、减小、增大。

4.放大器的动态范围

〔1〕是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值。

〔2〕范围

*当〔－〕＞〔’－〕时，受截止失真限制，22’。

*当〔－〕＜〔’－〕时，受饱和失真限制，22〔－〕。

*当〔－〕＝〔’－〕，放大器将有最大的不失真输出电压。

六.放大电路的等效电路法

静态分析

〔1〕静态工作点的近似估算

〔2〕Q点在放大区的条件

欲使Q点不进入饱和区，应满意＞β。

放大电路的动态分析

*放大倍数

*输入电阻

*输出电阻

分压式稳定工作点共射

放大电路的等效电路法

1．静态分析

2．动态分析

*电压放大倍数

在两端并一电解电容后

输入电阻

在两端并一电解电容后

*输出电阻

八.共集电极根本放大电路

1．静态分析

2．动态分析

*电压放大倍数

*输入电阻

*输出电阻

3.电路特点

*电压放大倍数为正，且略小于1，称为射极跟随器，简称射随器。

*输入电阻高，输出电阻低。

第三章场效应管及其根本放大电路