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半导体激光器基础知识及工艺介绍
目录
1.半导体激光器概述........................................2
1.1半导体激光器定义.....................................3
1.2半导体激光器分类.....................................3
1.2.1按波长分类.......................................5
1.2.2按增益介质分类...................................6
1.3半导体激光器工作原理.................................6
2.半导体激光器结构........................................7
2.1激光介质.............................................9
2.2激光器泵浦源........................................10
2.3光学谐振腔..........................................11
2.4增益介质和损耗介质..................................12
3.半导体激光器特性.......................................14
3.1输出波长............................................15
3.2输出功率............................................16
3.3光束质量............................................17
3.4稳定性和寿命........................................18
4.半导体激光器工艺介绍...................................19
4.1增益介质制备........................................21
4.1.1材料选择........................................22
4.1.2成膜工艺........................................23
4.2激光器封装..........................................25
4.2.1封装材料........................................26
4.2.2封装工艺........................................26
4.3激光器冷却..........................................28
4.3.1冷却方式........................................29
4.3.2冷却效率........................................31
5.半导体激光器应用.......................................32
6.半导体激光器发展趋势...................................33
6.1技术创新............................................35
6.2应用拓展............................................36
6.3市场前景............................................37
7.总结与展望.............................................38
1.半导体激光器概述
半导体激光器是一种利用半导体材料作为增益介质的激光器，它自20世纪60年代问世以来，凭借其高亮度、高单色性、高方向性和良好的温度稳定性等优异性能，在光纤通信、医疗、工业加工、科研等领域得到了广泛的应用。半导体激光器的工作原理基于半导体材料中的电子与空穴复合时释放的能量以光子的形式辐射出来。
增益介质：这是激光器的核心部分，主要由掺杂的半导体材料制成，如砷化镓等，掺杂元素用于提供电子和空穴的复合中心。
光学谐振
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