半导体制造过程控制系统（PCS）系列：沉积控制系统_（4）.化学气相沉积(CVD)过程控制.docx

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化学气相沉积(CVD)过程控制

化学气相沉积（ChemicalVaporDeposition,CVD）是一种在半导体制造过程中广泛使用的薄膜沉积技术。CVD通过将气态前驱体引入反应室，使其在基底表面发生化学反应，从而形成所需的薄膜。这一过程的控制对于确保薄膜的均匀性、厚度、纯度和性能至关重要。本节将详细介绍CVD过程控制的原理和内容，包括反应室条件的控制、前驱体气体的管理、温度控制、压力控制以及流量控制等方面。

1.反应室条件的控制

在CVD过程中，反应室条件的控制是确保沉积过程稳定和可重复性的关键。主要的反应室条件包括温度、压力、气体流量和反应