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硬件设计中的一些简单术语（中英文对照）

第一篇：硬件设计中的一些简单术语(中英文对照)

1.什么是BOM

2.什么是LDO

3.什么是ESR

4.什么是TTL

5.什么是MOS、NMOS、PMOS、CMOS

6.什么是OC、OD

7.什么是线或逻辑与线与逻辑

8.什么是推挽结构

9.什么是MCU、RISC、CISC、DSP

10.什么是FPGA和ASIC

11.FPGA与CPLD的异同点

1.BOM(BillOfMaterial),是制造业管理的重点之一,简单的定义就

是“记载产品组成所需使用材料的表”。以一个新产品的诞生来看:首

先是创意与可行性研究的初期过程,接下来的过程就是初步的工程技术

分析与原型产品的设计,等到原型产品比较稳定后,经过自制或外购分析

(MakeorBuyAnalysisandDecision)后就会产生第一版的工程料表

(EBOM,EngineeringBOM)。到正式量产之前,第一版的生产料表

(PBOM,ProductionBOM)必须要先完成,以便企业内的相关部门有所

遵循。在此之后,就进入了正常的例行维护阶段。

2.什么是LDO（低压降）稳压器?

LDO是一种线性稳压器。线性稳压器使用在其线性区域内运行的

晶体管或FET,从应用的输入电压中减去超额的电压,产生经过调节的输

出电压。所谓压降电压,是指稳压器将输出电压维持在其额定值上下

100mV之内所需的输入电压与输出电压差额的最小值。正输出电压的

LDO（低压降）稳压器通常使用功率晶体管（也称为传递设备）作为

PNP。这种晶体管允许饱和,所以稳压器可以有一个非常低的压降电压,

通常为200mV左右;与之相比,使用NPN复合电源晶体管的传统线性

稳压器的压降为2V左右。负输出LDO使用NPN作为它的传递设备,

其运行模式与正输出LDO的PNP设备类似。更新的发展使用CMOS

功率晶体管,它能够提供最低的压降电压。使用CMOS,通过稳压器的唯

一电压压降是电源设备负载电流的ON电阻造成的。如果负载较小,这

种方式产生的压降只有几十毫伏。

3.什么是ESR

电容的等效串联电阻,越低的话Q值越小。

4.什么是TTL

Transistor-TransistorLogic晶体管-晶体管逻辑电路(双极性型电

路,指包含电子和空穴两种极性的载流子)

5.什么是MOS、NMOS、PMOS、CMOS

MOS(Metal-OxideSemiconductor金属-氧化物半导体场效应管,

单极性)有增强型和耗尽型两种,主要是以下三类

P沟道增强型管构成的PMOS电路

N沟道增强型管构成的NMOS电路

PMOS和NMOS构成的CMOS(互补MOS,Complementary

Metal-Oxide-Semiconductor

Transistor互补型金属氧化物半导体)电路

6.什么是OC、OD

集电极开路门(集电极开路OC或源极开路OD)

open-drain是漏极开路输出的意思,相当于集电极开路(open-

collector)输出,即ttl中的集电极开路（oc）输出。一般用于线或、线

与,也有的用于电流驱动。

open-drain是对mos管而言,open-collector是对双极型管而言,

在用法上没啥区别。开漏形式的电路有以下几个特点：

a.利用外部电路的驱动能力,减少IC内部的驱动。或驱动比芯片电

源电压高的负载.b.可以将多个开漏输出的Pin,连接到一条线上。通过

一只上拉电阻,在不增加任何器件的情况下,形成“与逻辑”关系。这也

是I2C,SMBus等总线判断总线占用状态的原理。如果作为图腾输出必

须接