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1.绪论
20世纪90年代以来，由于异质外延缓冲层技术的采用和GaN的P型掺杂技术
的突破，从而开辟了GaN通向实际应用的光辉大道，引发了全世界GaN研究的热
潮，并已取得了辉煌的成绩。GaN超高亮度蓝、绿光LED已实现商品化。目前研发竞
争的焦点主要集中在蓝光LD方面，以及大功率高温半导体器件和微波器件用的材料研
制和器件制备技术方面。以GaN为代表的第三代半导体材料被誉为IT产业新的发动
机。GaN材料具有许多硅基材料所不具备的优异性能，包括能够满足大功率、高温、
高频和高速半导体器件的工作要求。它最重要的物理特点是具有比第一、二代半导体材
料
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