《模拟电子技术》经典习题(有图详细分析版).docx

项目一习题参考答案

PN结正向偏置时是指P区接电源的正极，N区接电源的负极。

在常温下，硅二极管的死区电压约为0.5V，导通后正向压降约为0.6～0.8V；锗二极管的死区电压约为0.1V，导通后正向压降约为0.2～0.3V。

三极管按结构分为NPN型和PNP型；按材料分为硅管和锗管。三极管是电流控制型器件，控制能力的大小可用?表示，它要实现信号放大作用，需发射结正偏，集电结反偏。

场效应管是电压控制型器件，控制能力的大小可用gm表示，它的主要特点是输入电阻很大。

能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？

解：不能，因为二极管正向电阻很小，若将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端会使得电路中的电流很大，相当于干电池正、负极短路。

分析图1.52所示电路中各二极管是导通还是截止，并求出A、B两端的电压UAB(设

VD为理想二极管，即二极管导通时其两端电压为零，反向截止时电流为零)。

图1.52题6图

解：（a）VD导通，UAB=-6V。

VD截止，UAB=-12V。

VD1导通，VD2截止，UAB=0V。

VD1截止，VD2导通，UAB=-15V。

在图1.53所示电路中，设VD为理想二极管，ui=6sin?t(V)，试画出uO的波形。

图1.53题7图

解：（a）

（b）

电路如图1.54所示，已知ui=5sin?t(V)，二极管导通电压为0.7V。试画出ui与的波

形。

解：ui3.7V时，VD1导通，VD2截止，uo=3.7V；

3.7Vui-4.4V时，VD1截止，VD2截止，uo=ui；

ui-4.4V时，VD1截止，VD导通，uo=-4.4V。

测得电路中几个三极管的各极对地电压如图1.55所示，试判别各三极管的工作状态。

图1.54题8图

图1.55题9图

解：（a）三极管已损坏，发射结开路（b）放大状态（c）饱和状态（d）三极管已损坏，发射结开路

测得放大电路中六只晶体管的电位如图1.56所示。在圆圈中画出管子，并说明它们是硅管还是锗管。

图1.56题10图

解：

为什么场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻要高很多？

解：栅、源极间的输入电阻从本质上来说是PN结的反向电阻。

图1.57所示符号各表示哪种沟道JFET？其箭头方向代表什么？

图1.57题12图

解：（a）N沟道JFET，（b）P沟道JFET

箭头的方向表示PN结正偏的方向，即由P指向N

试分别画出N沟道增强型和耗尽型MOS管、P沟道增强型和耗尽型MOS管的电路符号。

解：

(a)N沟道增强型MOS管 (b)P沟道增强型MOS管

(a)N沟道耗尽型MOS管 (b)P沟道耗尽型MOS管

一个场效应管的转移特性曲线如图1.58所示，试问：

它是N沟道还是P沟道的FET？

它的夹断电压uP和饱和漏极电流IDSS各是多少？

图1.58题14图

解：（1）N沟道JFET

uP=-3V，IDSS=3mA

图1.59所示为MOS管的转移特性，请分别说明各属于何种沟道。如果是增强型，说明它的开启电压uT=？如果是耗尽型，说明它的夹断电压uP=？其中iD的参考方向为流进漏极。

图1.59题15图

解：（a）N沟道耗尽型MOS管，uP=-3V。

（b）P沟道耗尽型MOS管，uP=2V。

（c）P沟道增强型MOS管，uT=-4V。

在图1.60所示电路中，已知发光二极管导通电压为1.5V，正向电流在5～15mA时才能正常工作。试问：

开关S在什么位置时发光二极管才能发光？

R的取值范围是多少？

解：（1）开关S闭合时，发光二极管才能发光。

（2）Rmin=（5-1.5）/15=0.23KΩRmax=（5-1.5）/5=0.7KΩ

R的取值范围是0.23KΩ~0.7KΩ。

已知稳压管的稳压值UZ=6V，稳定电流的最小值IZmin=5mA，求图1.61所示电路中

Uo1和Uo2各为多少伏。

图1.60题16图

图1.61题17图

解：（a）因为：2×10/(2+0.5)=8V6V，所以稳压管工作在反向击穿状态，Uo1=6V。

因为：2×10/(2+2)=5V6V，所以稳压管工作在反向截止状态，Uo2=5V。

项目二习题参考答案

判断下列说法是否正确(在括号中打“√”或“×”)。

在三极管放大电路中，为了稳定直流工作点可引入直流负反馈。 (√ )

在放大