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摘要
高端芯片制造所用的极紫外光刻技术是我国当前面临的最重要“卡脖子”技术，
也是目前实现特征尺寸为7nm及更小节点芯片的最有效手段。极紫外光源是光刻系
统中重要组成部分，高输出功率的极紫外光源是实现芯片大规模量产的前提。此外，
产生光源的同时也会产生其它波段的离带辐射，易对光刻系统中的光学元件造成变形、
损坏等现象，极大地减少了极紫外光刻系统的使用寿命。针对以上问题，本文采用固
体Sn和低密度SnO两种靶材，开展13.5nm极紫外光源离带辐射及等离子体特性研
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