氧等离子体辅助脉冲激光沉积法制备二氧化硅薄膜的方法 .pdfVIP

（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）发明专利申请

（10）申请公布号

CN101139700A

（43）申请公布日2008.03.12

（21）申请号CN200710047376.8

（22）申请日2007.10.24

（71）申请人中国科学院上海硅酸盐研究所

地址200050上海市长宁区定西路1295号

（72）发明人李效民;何西亮;吴洁华;宋力昕;高相东

（74）专利代理机构上海智信专利代理有限公司

代理人潘振甦

（51）Int.CI

C23C14/24;

C23C14/10;

C23C14/54;

权利要求说明书说明书幅图

（54）发明名称

氧等离子体辅助脉冲激光沉积法制备二氧化硅薄膜的方法

（57）摘要

本发明涉及一种氧等离子体辅助脉冲激光

沉积法制备二氧化硅薄膜的方法，其特征在于将

硅靶及清洗后的衬底置于真空生长室中；将生长

室抽真空；利用脉冲激光辐照硅靶材，同时在真

空室中通入一定量的氧气，利用外部电源施加高

压将通入的氧气体电离，产生高化学活性的氧等

离子体，氧等离子体起辅助生长以及补充脉冲激

光法沉积二氧化硅薄膜过程中需要补充的氧的作

用；相比没有氧等离子体辅助的脉冲激光沉积二

氧化硅薄膜，本发明可以制备出化学计量比的高

性能的二氧化硅薄膜。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

2008-03-12公开公开

2008-05-07实质审查的生效实质审查的生效

发明专利申请公布后的视为撤发明专利申请公布后的视为撤

2010-08-25

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权利要求说明书

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说明书

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