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第四章习题解答
4-1如题4-1图所示MOSFE转移特性曲线，说明各属于何种沟道？若是增强型，开启
电压等于多少？若是耗尽型，夹断电压等于多少？
答：（a）P-EMOSFET，开启电压V2V
GSM
（b）P-DMOSFET，夹断电压（或统称为开启电压
VV2V
GsoffGSQ
（c）P-EMOSFET，开启电压V4V
Gsth
（d）N-DMOSFET，夹断电压（或也称为开启电压
VV4V
GSOffGSQ
（（（
4-24个FET的转移特性分别如题4-2图（a）、b）、c）、d）所示。设漏极
电流i
D
的实际方向为正，试问它们各属于哪些类型的FET?分别指出i的实际方向
D
是流进还是流出？
答：（a）P-JFET，的实际方向为从漏极流出。
i
D
（b）N-DMOSFET，的实际方向为从漏极流进。
i
°
（c）P-DMOSFET，的实际方向为从漏极流出。
i
D
（d）N-EMOSFET,i的实际方向为从漏极流进。
D
y2
4-3已知N沟道EMOSFET的卩C=100A/V，V（）=0.8V,W/L=10，求下列
noxGSth
情况下的漏极电流：
（a）VGS=5V，VDS=1V;（b）VGS=2V，
VDS=1.2V;
（c）VGS
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