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电子技术基础检测题习题解析（附带答案详解）

电子技术基础-检测题习题解析（附带答案详解）

一、填空题：（每空0.5分，共25分）1、n型半导体是在本征半导体中掺入极微量

的五价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移

动的杂质离子带正电。p型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。这种

半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。

2、三极管的内部结构就是由发射区、基区、集电区区及发射结和erf共同组成的。

三极管对外带出的电极分别就是发射极、基极和集电极。

3、pn结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的

蔓延运动而有利于少数载流子的飘移；pn结逆向偏置时，外电场的方向与内电场的方

向一致，有助于少子的飘移运动而有利于多子的蔓延，这种情况下的电流称作逆向饱和电

流。第1章检测题（共100分后，120分钟）

4、pn结形成的过程中，p型半导体中的多数载流子由p向n区进行扩散，n型半导体

中的多数载流子由n向p区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，

其方向由n区指向p区。空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的

漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，pn结形成。

5、检测二极管极性时，需以万用表欧姆压的r×1k档位，当检测时表针偏移度很大

时，与红表棒二者碰触的电极就是二极管的阴极；与黑表棒二者碰触的电极就是二极管的

阳极。检测二极管优劣时，两表棒边线对调前后万用表指针偏移都非常大时，表明二极管

已经被打穿；两表棒十一位

1

复置对调前后万用表指针偏移都很小时，表明该二极管已经绝缘老化未通。

6、单极型晶体管又称为场效应（mos）管。其导电沟道分有n沟道和p沟道。

7、稳压管就是一种特定物质生产的面碰触型硅晶体二极管，正常工作应当在特性曲

线的逆向打穿区。

8、mos管在不使用时应避免栅极悬空，务必将各电极短接。

二、推论正误：（每小题1分后，共10分后）

1、p型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明p型半导体呈负电性。（错）

2、自由电子载流子弥补空穴的“无机”运动产生空穴载流子。（对）

3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档r×10k档位。（错）

4、pn结正向偏置时，其内外电场方向一致。（弄错）

5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。（错）

6、双极型晶体管就是电流控件，单极型晶体管就是电压控件。（对）

7、二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿。（错）

8、当三极管的集电极电流大于它的最小容许电流icm

时，该管必被击穿。（错）

9、双极型三极管和单极型三极管的导电机理相同。（弄错）

10、双极型三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用。（错）

三、选择题：（每小题2分后，共20分后）1、单极型半导体器件就是（c）。

a、二极管；b、双极型三极管；c、场效应

管；d、稳压管。

2

2、p型半导体就是在本征半导体中重新加入微量的（a）元素形成的。

a、三价；b、四价；c、五价；d、六

价。

3、稳压二极管的正常工作状态是（c）。

a、导通状态；b、截至状态；c、逆向

击穿状态；d、任意状态。

4、用万用表检测某二极管时，辨认出其正、反电阻均相当于1kω，表明该二极管

（c）。

a、已经击穿；b、完好状态；c、内部老化

未通；d、无法推论。

5、pn结两端加正向电压时，其正向电流是（a）而成。

a、多子蔓延；b、少子蔓延；c、少子飘移；

d、多子漂移。

6、测出npn型三极管上各电极对地电位分别为ve

＝2.1v，vb＝2.8v，vc＝4.4v，说明此三极管处在（a）。

a、压缩区；b、饱和状态区；c、截至区；d、

反向击穿区。

7、绝缘栅型场效应管的输出电流（c）。

a、较大；b、较小；c、为零；d、无

法推论。

8、正弦电流经过二极管整流后的波形为（c）。

a、矩形方波；b、等腰三角波；c、正弦

半波；d、仍为正弦波。

9、三极管少于（c）右图音速参数时，必定被损毁。

a、集电极最大允许电流icm；b、集―

射极间逆向打穿电压u（