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《AlxGa1-xN纳米材料的制备及其光学性能的研究》
一、引言
在半导体材料科学领域,AlxGa1-xN纳米材料因其在电子、光电、光电子等领域内的广泛用途,已经成为了研究者们的重要研究对象。这类材料具备出色的热稳定性、化学稳定性和高电子迁移率等特点,因此被广泛应用于各种光电设备中。本文旨在探讨AlxGa1-xN纳米材料的制备方法及其光学性能的研究。
二、AlxGa1-xN纳米材料的制备
AlxGa1-xN纳米材料的制备主要采用物理气相沉积(PVD)和化学气相沉积(CVD)等方法。其中,金属有机化学气相沉积(MOCVD)是制备高质量AlxGa1-xN纳米材料的一种常用方法。
在MOCVD过程中
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