电子技术基础项目化教程课件 项目一 半导体器件的认识 1.2.2 二极管.ppt

1.2相关知识1.2.2二极管总目录下页在PN结的两端各引出一根电极引线，然后用外壳封装起来就构成了半导体二极管，由P区引出的电极称为正极(或阳极)，由N区引出的电极称为负极（或阴极），其结构示意图如图1-7(a)所示，电路符号如图1—7(b)所示，电路符号中的箭头方向表示正向电流的方向。1.2.2二极管下页上页首页图1-7二极管的结构和符号1．二极管的结构与符号按PN结面积的大小，半导体二极管可分为点接触型和面接触型两大类。点接触型二极管的PN结面积很小，结电容小，不允许通过较大的电流，不能承受较高的反向电压，但其高频性能好，适用于作高频检波、小功率电路和脉冲电路的开关元件等。面接触型二极管的PN结面积大，结电容大，可以通过较大的电流，能承受较高的反向电压，适用于低频电路，主要用于整流电路。按照用途的不同，二极管分为整流、检波、开关、稳压、发光、快恢复和变容二极管等。常的二极管有金属、塑料和玻璃三种封装形式，其外形各异。下页上页首页二极管由一个PN结构成，因此，它的特性就是PN结的单向导电特性。常利用伏安特性曲线来形象地描述二极管的单向导电性。二极管的伏安特性，就是指二极管两端的电压U和流过二极管的电流I之间的关系。若以二极管两端的电压U为横坐标，流过二极管的电流I为纵坐标，用作图法把电压、电流的对应点用平滑曲线连接起来，就得到了二极管的伏安特性曲线，如图1-9所示（图中实线为硅二极管的伏安特性曲线，虚线为锗二极管的伏安特性曲线），下面就二极管的伏安特性曲线进行说明。2．二极管的伏安特性下页上页首页（1）正向特性二极管两端加正向电压时，电流和电压的关系称为二极管的正向特性。下页上页首页当正向电压比较小时（0＜U＜Uth），外电场不足以克服PN结的内电场对多子扩散运动造成的阻力，正向电流极小，二极管呈现为一个大电阻，此区域称为死区，电压Uth称为死区电压（又称门槛电压）。在室温下硅管Uth≈0.5V，锗管Uth≈0.1V，如图1-9中OA（或OA/）段所示。图1-9二极管的伏安特性曲线当外加正向电压大于Uth时，PN结的内电场大为削弱，二极管的电流随外加电压增加而显著增大，电流与外加电压呈指数关系，二极管呈现很小的电阻而处于导通状态，硅二极管的正向导通压降约为0.7V，锗二极管的正向导通压降约为0.3V，如图1-9中AB（或AB/段）所示。二极管正向导通时，要特别注意它的正向电流不能超过最大值，防止PN结被烧。下页上页首页（2）反向特性二极管两端加上反向电压时，电流和电压的关系称为二极管的反向特性，由图1-9中OC（或OC’段）所示，二极管的反向电流很小，且与反向电压无关，因此，称此电流值为二极管的反向饱和电流，这时二极管呈现很大的电阻而处于截止状态，一般硅二极管的反向饱和电流比锗二极管小很多，在室温下，小功率硅管的反向饱和电流小于0.1微安，锗管为几十微安。下页上页首页（3）反向击穿特性当加在二极管两端的反向电压增大到UBR时，二极管内PN结被击穿，二极管的反向电流将随反向电压的增加而急剧增大，如图1-9中CD（或CD/）段所示，称此现象为反向击穿，UBR为反向击穿电压。反向击穿后，只要反向电流和反向电压的乘积不超过PN结容许的耗散功率，二极管一般不会损坏。若反向电压下降到击穿电压以下后，其性能可恢复到原有情况，即这种击穿是可逆的，称为电击穿；若反向击穿电流过高，则会导致PN结结温过高而烧坏，这种击穿是不可逆的，称为热击穿。下页上页首页（4）温度对特性的影响温度对二极管的特性有显著的影响，如图1-10所示。当温度升高时，正向特性曲线向左移，反向特性曲线向下移。变化规律是：在室温附近，温度每升高1℃，正向压降约减小2~2.2mV，温度每升高10℃,反向电流约增大一倍。若温度过高，可能导致PN结消失。一般规定硅管所允许的最高结温为50－200℃，锗管为75－150℃。下页上页首页图1-10温度对二极管伏安特性的影响实用中一般通过查器件手册，依据参数来合理使用二极管。二极管的主要参数有：（1）最大整流电流IF：指二极管长期连续工作时，允许通过的最大正向电流的平均值。使用时若超过此值，二极管会因过热而烧坏。点接触型二极管的IF较小，面接触型二极管的IF较大。