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硅材料制备技术基础知识单选题100道及答案解析

1.硅材料制备过程中，常用的提纯方法是（）

A.化学气相沉积B.区域熔炼C.电解精炼D.萃取

答案：B

解析：区域熔炼是硅材料制备中常用的提纯方法。

2.以下哪种原料常用于硅材料的制备（）

A.石英砂B.碳酸钙C.碳酸钠D.氯化钠

答案：A

解析：石英砂是制备硅材料的常见原料。

3.在硅的晶体生长中，直拉法的关键步骤是（）

A.引晶B.缩颈C.放肩D.等径生长

答案：A

解析：引晶是直拉法晶体生长的关键起始步骤。

4.硅材料的电阻率主要取决于（）

A.杂质浓度B.晶体结构C.温度D.压力

答案：A

解析：杂质浓度对硅材料的电阻率起着决定性作用。

5.制备硅单晶时，所用坩埚的材料通常是（）

A.石英B.石墨C.陶瓷D.不锈钢

答案：B

解析：石墨坩埚常用于硅单晶的制备。

6.硅材料的禁带宽度约为（）

A.0.67eVB.1.12eVC.2.0eVD.3.0eV

答案：B

解析：硅材料的禁带宽度约为1.12eV。

7.硅的原子序数是（）

A.12B.14C.16D.18

答案：B

解析：硅的原子序数是14。

8.以下哪种不是硅材料的常见应用（）

A.集成电路B.玻璃制造C.太阳能电池D.半导体器件

答案：B

解析：玻璃制造通常不用硅材料，硅主要用于集成电路、太阳能电池和半导体器件等。

9.硅的熔点约为（）

A.1083℃B.1410℃C.1728℃D.2355℃

答案：B

解析：硅的熔点约为1410℃。

10.在硅材料制备中，用于检测杂质含量的仪器是（）

A.分光光度计B.质谱仪C.原子吸收光谱仪D.红外光谱仪

答案：C

解析：原子吸收光谱仪常用于检测杂质含量。

11.硅材料的导电机理主要是（）

A.电子导电B.空穴导电C.电子和空穴导电D.离子导电

答案：C

解析：硅材料中电子和空穴都参与导电。

12.硅单晶生长过程中，控制晶体直径的方法是（）

A.控制温度B.控制提拉速度C.控制坩埚转速D.控制保护气体流量

答案：B

解析：通过控制提拉速度来调节晶体直径。

13.以下哪种气体在硅材料制备中常用作保护气（）

A.氧气B.氮气C.氢气D.二氧化碳

答案：B

解析：氮气在硅材料制备中常被用作保护气。

14.硅的晶体结构属于（）

A.体心立方B.面心立方C.金刚石结构D.密排六方

答案：C

解析：硅的晶体结构为金刚石结构。

15.硅材料的化学性质相对（）

A.活泼B.稳定C.极易氧化D.极易腐蚀

答案：B

解析：硅材料的化学性质相对稳定。

16.制备高纯度硅时，常用的还原剂是（）

A.碳B.氢气C.一氧化碳D.铝

答案：B

解析：氢气是制备高纯度硅时常用的还原剂。

17.硅材料的光学性质主要表现为（）

A.高透光性B.高反射性C.强吸收性D.各向同性

答案：A

解析：硅材料具有较高的透光性。

18.硅材料的硬度属于（）

A.较软B.中等硬度C.很硬D.极硬

答案：B

解析：硅材料的硬度为中等硬度。

19.在硅的外延生长中，常用的气源是（）

A.硅烷B.甲烷C.乙烷D.丙烷

答案：A

解析：硅烷是硅外延生长常用的气源。

20.硅材料的热导率（）

A.很高B.较低C.极低D.几乎为零

答案：A

解析：硅材料的热导率较高。

21.以下哪种方法不能提高硅材料的纯度（）

A.多次区域熔炼B.增加反应时间C.优化提纯工艺D.降低反应温度

答案：D

解析：降低反应温度通常不能提高硅材料的纯度。

22.硅材料的电学性能会受到（）的影响。

A.压力B.光照C.磁场D.以上都是

答案：D

解析：压力、光照和磁场都会对硅材料的电学性能产生影响。

23.制备硅薄膜时，常用的方法是（）

A.溅射法B.溶胶-凝胶法C.水热法D.沉淀法

答案：A

解析：溅射法常用于制备硅薄膜。

24.硅材料在常温下与下列哪种物质不反应（）

A.盐酸B.氢氟酸C.氢氧化钠溶液D.氧气

答案：D

解析：硅在常温下与氧气不反应。

25.硅的氧化物是（）

A.氧化硅B.二氧化硅C.三氧化二