电子技术基础项目化教程 项目一 习题与提高参考答案.doc

项目一：习题与提高

1－1、判断题

（1）在P型半导体中如果掺入足够量的五价元素，可将其改型为N型半导体。（√）

（2）因为N型半导体的多数载流子是自由电子，所以它带负电。（×）

（3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（√）

（4）用万用表识别二极管的极性时，若测的是二极管的正向电阻，那么和标有“＋”号的测试棒相连的是二极管的正极，另一端是负极。（×）

（5）二极管的电流—电压关系特性可大概理解为反向偏置导通，正向偏置截止。（×）

（6）稳压二极管工作在正常反向击穿状态，切断外加电压后，PN结应处于反向击穿状态。（×）

（7）在稳压二极管构成的稳压电路中不要限流电阻Ｒ，利用稳压管的稳压性能也能输出稳定的直流电压。（×）

（8）处于放大状态的三极管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（√）

（9）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。（√）

（10）若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。（×）

（11）温度升高时，共射极电路的工作点易进入饱和区。（√）

（12）共基极电路既有电压放大作用，也有电流放大作用。（×）

1－2、选择题

（1）PN结加反向向电压时，空间电荷区将（C）。

A.变窄B.基本不变C.变宽

（2）设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是（C）。

A.B.C.

（3）稳压管是工作在（C）区实现稳定电压的功能。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿

（4）在本征半导体中加入(A)元素可形成N型半导体，加入(C)元素可形成P型半导体。

A.五价B.四价C.三价

（5）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A)。

Ａ.增大B.不变C.减小

（6）如果二极管的正、反向电阻都很小或为零，则该二极管（B）

Ａ.正常Ｂ.已被击穿Ｃ.内部断路

（7）当三极管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（B）

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏

（8）UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有（C）

A.结型管B.增强型MOS管C.耗尽型MOS管

（9）工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为（C）

A.83B.91

（10）场效应管共源放大电路类似于（A）

A.共射电路B.共集电极C.共基电路

1－3、电路如图1-40所示，已知ui＝10sinωt(V)，试画出ui与uo的波形。忽略二极管正向压降。

图1-40题1-3、1－5图

解：ui与uo的波形为：

1－4、比较硅、锗两种材料二极管的性能。在工程实践中，为什么硅二极管应用得较普遍？

答：硅材料二极管的死区电压比锗材料二极管高；硅材料二极管的反向电流比锗材料二极管小；硅材料二极管的最高反向电压也比锗材料二极管高；而锗硅材料二极管的工作频率比硅材料二极管高。由于硅材料管的穿透电流比锗材料管小，温度对硅材料管的影响也比锗材料管小，硅管的稳定性好，所以硅二极管应用得较普遍。

1－5、如图1-40所示，设二极管的正向电压降为0.6V，求ui分别+5V、-5V、0V时，uo的值。

解：当ui+5V时，二极管导通，uo＝5V－0.6V＝4.4V；当ui-5V时，二极管截止，uo＝0V；当ui＝0V时，二极管截止，uo＝0V。

1－6、二极管电路如图1-41所示，判断图中的二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出电压。设二极管是理想的。

图1-41题1-6图

解：（a）：根据图中电位关系，二极管截止，uo＝－12V；

（b）：根据图中电位关系，二极管VD1导通，VD2截止，uo＝0V；

1－7、电路如图1-42所示，已知ui＝5sinωt(V)，二极管导通电压为0.7V。试画出ui与uo的波形，并标出幅值。

图1-42题1-7图

解：ui与uo的波形为：

1－8、由理想二极管组成的电路如图1-43所示，已知试画出输出电压的波形。

图1-43题1-8图

解：输出电压的波形为：

1－9、在三极管放大电路中测得三个三极管的各个电极的电位如图1－44所示。试判断各三极管的类型(是PNP管还是NPN管,是硅管还是锗管),并区分e、b、c三个电极。

图1－44题1－9图

解：（a）NPN型硅管，1为