模拟电路部分的选择题练习 .pdfVIP

一、选择题B.工作在饱和区的NPN硅管

1．在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（C）C.工作在截止区的NPN硅管

A．本征半导体B．温度D.工作在饱和区的PNP锗管

C．杂质浓度D．掺杂工艺17.以下几项中，错误使用三极管的是(D)。

．．

2.半导体中的少数载流子产生的原因是(D)A.温度变化量大的工作场合使用硅管B.导通结电压要求低的场合使用锗管

A.外电场B.内电场C.硅管锗管不直接互换D.尽量选用反向电流大的管子

C.掺杂D.热激发18.某三极管接在电路上，它的三个管脚的电位分别为U1=-12V，U2=-5.2V，U3=-5V，则对应该管的管脚排列依次是

3.在本征半导体中掺入（A）就成为P型半导体。(A)。

A.3价元素B.4价元素C.5价元素D.6价元素A.E、B、CB.B、C、E

4当PN结外加正向电压时，扩散电流（A）漂移电流，耗尽层变窄。C.B、E、CD.C、B、E

A.大于B.小于C.等于19.从提高晶体管放大能力出发，除了将晶体管基区做得很薄，且掺杂浓度很低之外

5当PN结外加反向电压时，扩散电流（B）漂移电流，耗尽层变宽。工艺上还要采取如下措施：(B)

A.大于B.小于C.等于A.发射区掺杂浓度高，集电结面积小B.发射区掺杂浓度高，集电结面积大

6.N型半导体可以在纯净半导体中掺入(C)价元素实现。C.发射区掺杂浓