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模电习题库答案

⼀、填空题

1、P型半导体多数载流⼦为空⽳，⽽N型半导体的多数载流⼦为

电⼦。

2、为了使三极管具有放⼤作⽤，要求外加电压保证发射结正偏，集电结反偏。

3、甲类功放电路管⼦的导通⾓为2π，⼄类功放电路管⼦的导通⾓为

π。

4、同相⽐例运算电路可实现Au1的放⼤器；反相⽐例运算电路可实现Au0的放⼤器。

5、差分放⼤电路能够放⼤差模信号，⽽抑制共模信号。

6、在具有反馈的放⼤电路中，如果令输出电压0

u，反馈信号消失，说明它

o

的反馈类型属于电压反馈，否则就是电流反馈。

KH信号通过，应该选7、在某个信号处理系统中，要求让输⼊信号中的10～15

Z

KH的⼲扰信号，不使其通过可采⽤带通滤波器，如果要抑制20～30

Z

⽤带阻滤波器。

8、振荡电路的⾃激振荡条件中，幅值平衡条件为AF=1，相位平衡条件为：

ψa+ψf=2nπ。

9、当静态⼯作点Q的位置偏低，⽽输⼊电压

u的幅值⼜相对较⼤，则很容易引

i

起截⽌失真，当静态⼯作点Q的位置偏⾼，⽽输⼊电压

u的幅值⼜

i

相对较⼤，则很容易引起饱和失真。

10、正弦波振荡电路由放⼤器、正反馈⽹络和选频⽹络和稳幅环节四部分构成。

11、PN结外加正向偏置电压时，在外电场的作⽤下，空间电荷区的宽度要变窄，于是多⼦的扩散运动将增强。

12、当三极管⼯作在放⼤区（线性区）时，集电极电流的变化基本与Uce

⽆关，⽽主要受Ib的控制。

13、半导体中的载流⼦为电⼦和空⽳。

14、三极管根据结构不同可分成PNP型和NPN型。

15、共模抑制⽐

K等于差模放⼤倍数与共模放⼤倍数之⽐的绝对值，

CMR

K值越⼤，表明电路抑制共模信号的能⼒越强。

CMR

16、在对放⼤电路的输⼊、输出电阻的影响中，串联负反馈的影响是使输⼊电阻的阻值增⼤，⽽电压负反馈的影响是使得输

出电阻的阻值减⼩。

17、在某个信号处理系统中，为了获得输⼊电压中的低频信号，应该选⽤低通滤波器，为了避免50HZ电⽹电压的⼲扰进⼊放

⼤器，应该选⽤带阻滤波器。

18、电路中品质因数的公式为：Q值越⼤，则幅频特性越尖锐，说明选频特性越好。

19、当静态⼯作点Q的位置（偏低，偏⾼）⽽输⼊电压

u的幅值⼜相对

i

较⼤，则很容易引起截⽌失真，当静态⼯作点Q的位置（偏低，偏⾼），⽽输⼊电压

u的幅值⼜相对较⼤，则很容易引饱和失真。

i

20、根据选频⽹络所采⽤的元件不同，正弦波振荡电路可以分为RC正弦波振荡电路、LC正弦波振荡电路和⽯英晶体正弦波振

荡器。

21、⼆极管的主要特性是单向导电_，即正向导通，_反向___截⽌。

22、静态⼯作点对应的直流量分别是IBQ，ICQ，和_Uce_；设置静态⼯作点的⽬的是让三极管⼯作在___放⼤________

区，为电路的放⼤创造条件。

23、射极输出器的主要特点是：ri较⼤,ro较⼩,Au__⼩于等于_1,它虽然没电压___放⼤作⽤，但具有电流或功率放⼤作⽤。

24、直流稳压电源的作⽤就是把输⼊的交流电变成稳定的直流电输出；其内部通常由变压器、整流电路、滤波电路和稳压电

路四部分组成。

25、正弦波振荡器的起振条件是：AF??__＞___1,⽽平衡条件是：AF??_＝__1。

26、半导体具有光敏特性、_热敏_____特性和掺杂特性，根据掺⼊杂质的不同，

可分为N型半导体和P型半导体，其中_N____型半导体中的多数载流⼦是⾃由电⼦。

27、请画出⼆极管的符号__________。

28、整流电路的作⽤是：将交流电变成脉动的__直流___电。

29、硅⼆极管的正向导通压降是_0.7V_______。

30、半导体具有光敏特性、热敏特性和掺杂特性，根据掺⼊杂质的不同，可分为

N型半导体和P型半导体，其中__N___型半导体中的多数载流⼦是⾃由电⼦。

31、请画出⼆极管的符号__________和PNP型三极管的符号____________。

32、⼆极管的主要特性是单向导电性，即正向导通，反向截⽌。（导

通、截⽌）

33、硅⼆极管的正向导通压降是__0.7V______,整流⼆极管的两个主要参数是最

⼤整流电流IFM和___URmax__。

34、某两级放⼤电路，已知Au1=－20，Au2=50，则总的Au=__-1000___。

35、引⼊串联负反馈后，会使放⼤器的输⼊电阻__增⼤_____；⽽引⼊并联负反

馈后，会使放⼤器的输⼊电阻__减⼩______。

36、基本放⼤电路静态⼯作点对应的直流量