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模拟电子技术习题

第一章二极管

1、在N型半导体中，多数载流子为___D_____，P型半导体________。

A、空穴带正电B、自由电子带负电

C、空穴不带电D、自由电子不带电

2、本征半导体中，自由电子的浓度____C__空穴的浓度。

A、大于B、小于C、等于D、不能确定

3、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将___B_____。

A、减小B、增大C、不变D、不能确定

4、杂质半导体中，少子的浓度取决于A________。

A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体缺陷

5、二极管符号中的箭头方向与___C_____方向一致。

A、外加电压B、载流子运动C、正向电流D、反向电流

6、稳压二极管通常工作在___A____状态下，能够稳定电压。

A、反向击穿区B、正向导通区C、反向截止区D、正向截止区

7、如下图，硅稳压二极管VS的稳定电压是6V,则电路的输出电压为__B______。

A、10VB、6VC、16VD、-6V

8、有关二极管的伏安特性，下列说法错误的是：D

A、二极管施加大于死区电压的正向电压时导通；

B、二极管施加反向电压时截止；

C、二极管反向电压增加到一定值时反向击穿；

D、二极管反向击穿时，通过的电流大小为0A。

9、半导体二极管的最主要特性是____A____。

A、单向导电性B、温度特性

C、击穿特性D、导通后管压降不变特性

10、下列_____C_不属于半导体特性。

A、半导体中有两种载流子参与导电

B、半导体的导电性能随温度、光照发生变化

C、半导体的原子最外层存在价电子

D、掺入杂质可改变半导体的导电性能

11、关于本征半导体说法错误的是__B__。

A、热激发产生空穴

B、热激发产生自由电子，导致半导体带负电

C、自由电子、空穴数目相等

D、电子空穴对越多，复合的概率也越大

12、在本征半导体中加入元素可以获得AN型半导体。

A、五价、四价B、三价C、任何杂质D

13、PN结的形成是由于_____C___。

A、多子扩散作用、少子漂移作用B

C、多子扩散与少子漂移共同作用D、天然形成

14、当PN结反向加电时（反偏），下列结论正确的是_A_______。

A、外电场加强内电场，耗尽层变宽

B、外电场加强内电场，耗尽层变窄

C、外电场削弱内电场，耗尽层变窄

D、外电场削弱内电场，耗尽层变宽

15、二极管电路如图所示，二极管D1和D2的工作状态是____A____。

A、D1、D2均截止

B、D1、D2均导通

C、D1导通、D2截止

D、D2导通、D1截止

16、频率200MHz、电流20mA的信号要通过二极管，可选用二极管为____B____。

A、面接触型B、点接触型、以上两者都可C

（问题）17、二极管外加正向电压时，其电阻性表现为___B_____。

A、不随电压变化，为定值

B、随电压增加而减小

C、随电压增加而增加

14、关于稳压二极管，下列说法错误的是____C____。

A、稳压二极管的正向特性与普通二极管相同

B、稳定电压UZ为反向击穿电压

C、稳定电流只需规定最大值

D、动态电阻越小，稳压性能越好

（问题）15、两个稳压二极管的稳压值分别为7V和9V，将它们组成如图所示电路，设输

入电压U值是20V，则输出电压U为

10

_____B___。

A、9VB、7V

C、0VD、8V

16、半导体中的载流子是（D）。

A、自由电子B、空穴C、离子D、自由电子和空穴

17、硅