士兰微代理商SGT50U65FDM1P7深圳恒锐丰科技.pdf

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士兰微电子SGT50U65FDM1P7说明书

50A、650V绝缘栅双极型晶体管

描述C

2

SGT50U65FDM1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子场截止4

1

G

Plus(FieldStopIV+)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产

品可应用于光伏,UPS,SMPS以及PFC等领域。

3

E

特点

50A,650V,V典型值=1.95V@I=50A

CE(sat)()C

低导通损耗

1

2

快开关速度3TO-247-3L

高输入阻抗

命名规则

SGT50U65FDM1P7

士兰IGBT系列封装形式,如

P7:TO-247-3L

电流规格,如:

1,2,3:版本号

50表示50A等

N:N沟平面栅空:标准二极管(Standard)

NE:N沟平面栅带ESDM:标准二极管、全电流规格(StandardFull)

T:FieldStop3和4R:快速二极管(Rapid)

U:FieldStop4+B:快速二极管、全电流规格(RapidFull)

V:FieldStop5S:超软二极管、全电流规格(SoftFull)

W:FieldStop5+

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