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士兰微电子SVSP11N65FJHD2说明书
11A,650V超结MOS功率管
2
描述
SVSP11N65FJHD2N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微
1
电子超结MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功
率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。
3
此外，SVSP11N65FJHD2应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。
1.栅极2.漏极3.源极
特点
11A,650V,RDS(on)(典型值)=0.33@VGS=10V
创新高压技术
低栅极电荷
1
定期额定雪崩23
TO-220FJH-3L
较强dv/dt能力
高电流峰值
产品规格分类
产品名称封装形式打印名称环保等级包装方式
SVSP11N65FJHD2TO-220FJH-3LP11N65FJH无卤料管
极限参数(除非特殊说明，T=25C)
A
参数符号参数值单位
漏源电压VDS650V
栅源电压VGS±30V
T=25°C11
C
漏极电流IDA
T=100°C7
C
漏极脉冲电流IDM44A
耗散功率(T=25C)35W
C
PD
-大于25C每摄氏度减少0.28W/C
单脉冲雪崩能量（注1）EAS
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