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士兰微电子SVSP20NF60TD2说明书
20A,600V超结MOS功率管
描述
2
SVSP20NF60TD2N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微
电子超结MOS技术制造,具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率1
转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。
此外,SVSP20NF60TD2应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。3
1.栅极2.漏极3.源极
特点
20A,600V,RDS(on)(典型值)=0.19@VGS=10V
创新高压技术
低栅极电荷
1
2
定期额定雪崩3
较强dv/dt能力TO-220-3L
高电流峰值
产品规格分类
产品名称封装形式打印名称环保等级包装方式
SVSP20NF60TD2TO-220-3LP20NF60TD2无卤料管
杭州士兰微电子股份有限公司版本号:1.3
http://.cn共9页第1页
士兰微电子SVSP20NF60TD2说明书
极限参数(除非特殊说明,T=25C)
J
参数名称符号参数值单位
漏源电压VDS600V
栅源电压VGS±30V
T=25°C20
C
漏极电流IDA
T=100°C12
C
漏极脉冲电流(注1)IDM80A
耗散功率(T=25C)179W
C
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