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SVT034R0NL3说明书
75A、30VN沟道增强型场效应管
描述
SVT034R0NL3N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的
LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的
导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
特点
75A，30V，RDS(on)（典型值）3.0m@VGS10V
低栅极电荷量
低反向传输电容
开关速度快
提升了dv/dt能力
100%雪崩测试
无铅管脚镀层
符合RoHS环保标准
关键特性参数
参数参数值单位
VDS30V
VGS(th)1.2~2.2V
RDS(on),max4.0m
ID75A
Qg.typ23nC
产品规格分类
产品名称封装形式打印名称环保等级包装方式
SVT034R0NL3TRPDFN-8-3.3x3.3x0.75-0.6534R0无卤编带
杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.1
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SVT034R0NL3说明书
极限参数（除非特殊说明，T25C）
J
参数值
参数符号测试条件单位
最小值典型值最大值
漏源电压VDS--30----V
栅源电压VGS---20--20V
T25C----75A
C
漏极电流（注1）ID
T100C----47A
C
漏极脉冲电流（注2）IDMT25C----
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