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SVT035R5NSA说明书
21A、30VN沟道增强型场效应管
描述
SVT035R5NSAN沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰
的LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低
的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
特点
21A，30V，RDS(on)（典型值）4.0m@VGS10V
低栅极电荷量
低反向传输电容
开关速度快
提升了dv/dt能力
产品规格分类
产品名称封装形式打印名称环保等级包装方式
SVT035R5NSASOP-8-225-1.27035R5NSA无卤料管
SVT035R5NSATRSOP-8-225-1.27035R5NSA无卤编带
杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.1
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SVT035R5NSA说明书
极限参数(除非特殊说明，TA25C)
参数符号参数值单位
漏源电压VDS30V
栅源电压VGS±20V
T25°C21
C
漏极电流IDA
T100°C13
C
漏极脉冲电流IDM120A
耗散功率（T25C）4.6W
C
PD
-大于25C每摄氏度减少0.04W/C
L0.5mH200mJ
单脉冲雪崩能量（注1）EAS
L0.1mH84mJ
工作结温范围
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