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士兰微电子SGT30T60SD1F(FD)说明书
30A、600V绝缘栅双极型晶体管
描述C
2
SGT30T60SD1F(FD)绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场
截止(FieldStopIII)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品1
G
可应用于UPS,SMPS,电动工具以及PFC等领域。
特点3
E
30A,600V,V典型值=1.65V@I=30A
CE(sat)()C
低导通损耗
快开关速度
高输入阻抗
123123
TO-220F-3LTO-220FD-3L
命名规则
SGT30T60SD1F
士兰IGBT系列封装形式,如
电流规格,如:F:TO-220F-3L
30表示30A等
1,2,3„:版本号
N:N沟平面栅
NE:N沟平面栅带ESD空:标准二极管(Standard)
T:FieldStop3和4M:标准二极管、全电流规格(StandardFull)
U:FieldStop4+R:快速二极管(Rapid)
V:FieldStop5B:快速二极管、全电流规格(RapidFull)
W:FieldStop5+S:超软二极管、全电流规格(SoftFull)
Y:FieldStop5++
A:FieldStop6D:合封二极管
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