士兰微代理商SVSP20N60FJDD2深圳恒锐丰科技.pdf

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士兰微电子SVSP20N60FJD(K)(T)(PN)(S)(P7)D2说明书

20A,600V超结MOS功率管

描述2

1

2

SVSP20N60FJD(K)(T)(PN)(S)(P7)D2N沟道增强型高压功率3

1

TO-262-3L

MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术平台制造,具有很低的传导

3

损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行1

3

1.栅极2.漏极3.源极

为。TO-263-2L

此外,SVSP20N60FJD(K)(T)(PN)(S)(P7)D2应用广泛。如,适用

于硬/软开关拓扑。12312

3

TO-220FJD-3LTO-220-3L

特点

20A,600V,RDS(on)(典型值)=0.16@VGS=10V

创新高压技术123TO-247-3L

123

低栅极电荷TO-3P

定期额定雪崩

较强dv/dt能力

高电流峰值

产品规格分类

产品名称封装形式打印名称环保等级包装方式

SVSP20N60FJDD2TO-220FJD-3LP

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