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SVT3025D4说明书
30VN+P沟道增强型场效应管
描述
SVT3025D4N+P沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰
的LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低
的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
特点
低栅极电荷
低反向传输电容
开关速度快
提升了dv/dt能力
100%雪崩测试
无铅管脚镀层
符合RoHS环保标准
关键特性参数
参数值
参数单位
N沟道P沟道
VDS30-30V
VGS(th)1.0~2.5-1.0~-2.5V
RDS(on)max2338m
,
ID23-17A
Qg.typ1313nC
产品规格分类
产品名称封装形式打印名称环保等级包装方式
SVT3025D4TRTO-252-4LSVT3025D无卤编带
杭州士兰微电子股份有限公司版本号:1.12022-06-16
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SVT3025D4说明书
极限参数(除非特殊说明,T25C)
J
N沟道
参数值
参数符号测试条件单位
最小值典型值最大值
漏源电压VDS--30----V
栅源电压VGS---20--20V
T25C----23A
C
漏极电流ID
T100C----14A
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