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电子技术基础

一、填空

第一章直流电路分析基础

1.电路一般由电源、负载和中间环三部分组成。2.电源是将其他形式的能转换成电能的装置。

3.负载是将电能转换为其他形式的能的设备。

4.电路的作用包括能源转换和信号处理两个方面。

5.交流电是指大小和方向随时间变换而变化的电压或电流。

6.数字信号是指大小和方向不随时间变化而变化的电压或电流信号。7.模拟信号是指大小和方向随时间连续变化的电压或电流信号。

8.电路中的元件分为有源元件和无源元件，其中无源元件包括电阻、电感和电容三种。9.在电路中起激励作用的是独立电源，包括理想独立电流源和非理想电压源。

10.电路中有两种电源，其中起激励作用的是独立电源，不起激励作用的是受控电源。

11.一般来说，电流分为直流、交流和随机电流三种类型。

12.求出的功率如果大于0，表示该元件吸收功率；如果功率小于0，表示该元件发出功率。13.一般来说，电压分为直流电压、交流电压和随机电压三种类型。

14.对于一个二端元件，在关联参考方向的时，该元件功率的计算公式习惯表示为P=UI；与此相反，在非关联参考方向的时，其功率计算公式习惯表示为P=-UI。

15.根据是否提供激励，电源分为独立和受控两种。

第二章一阶过渡电路

1.一阶过渡电路的全响应分析通常用三要素法，三要素分别指初始值f(0)、稳态值f(∞)和时间常数τ。

2.RC过渡电路中的时间常数的表达式为τ=RC；RL过渡电路中的时间常数的表达式为τ=。3.根据是否有信号输入，一阶过渡电路分为零输入响应和零状态响应。

4.一阶电路的全响应既可以用零输入响应和零状态响应表示，也可用多个暂态和多个稳态表示。

第三章正弦交流电

1.正弦交流电源的三要素是指振幅、频率和出相位。

2.已知某交流正弦电流的瞬时表达式为则该正弦交流电流的最大值为

π352A，频率为50Hz

π

3

3.在交流电路的功率计算中，Q表示无功功率，单位是var(乏)；它与S和P的关系可以表示为Q=

S=

S=S2?P2

4.已知某交流正弦电压的瞬时表达式为则该电压的有效值为10，频率为50Hz，

初相位为。

5.在交流电路的功率计算中，S表示视在功率，单位是VA(伏安)；它与Q和P的关系可以表示为S=P2+Q2。

第四章半导体器件

1.常温下，硅二极管的开启电压是0.5V，导通后正向压降约为0.7V。2.常温下，锗二极管的开启电压是0.1V，导通后正向压降约为0.3V。

3.P型半导体中多数载流子是空穴，少数载流子是电子。4.N型半导体中多数载流子是电子，少数载流子是空穴。5.三极管可以工作在饱和、截至或放大三种状态。

6.三极管处于放大状态时，发射结正向偏置、集电结反响偏置。7.稳压二极管正常工作是处于反向偏置。

8.PN结加正向电压时，二极管导通，加反向电压时，二极管截至。

9.为了保证放大器不失真的放大信号，放大器必须设置合适的静态工作点，以保证三极管始终工作在放大区，场效应管工作在恒流区。

10.半导体材料按照是否存在杂质，分为本征半导体和杂质半导体，其中杂质半导体又分为P型半导体和N型半导体。

11.稳压二极管稳压电路正常工作时，稳压二极管工作于反向击穿区，稳压二极管的动态电阻越小，其稳压性能越好。

12.为了使光电二极管实现光电信号转换，应当使其工作在反向偏置状态。

13.常温下，温度升高，本征半导体的导电能力越强；掺杂半导体的导电能力增强；14.N型半导体的多子是电子；少子是空穴；P型半导体的多子是空穴；少子是电子。

15.PN结正偏时，多数载流子做扩散运动穿越势垒区，形成正向电流；PN结反偏时，少数载