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士兰微电子SVSP24N60FJD(T)D2说明书
24A，600V超结MOS功率管
描述
2
SVSP24N60FJD(T)D2N沟道增强型高压功率MOSFET采用士
1
兰微电子超结MOS技术平台制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。
使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为.3
此外，SVSP24N60FJD(T)D2应用广泛。如，适用于硬/软开关拓1.栅极2.漏极3.源极
扑。
特点1
23
TO-220FJD-3L
24A，600V，RDS(on)(典型值)=0.14@VGS=10V
创新高压技术
1
2
低栅极电荷3TO-220-3L
定期额定雪崩
较强dv/dt能力
高电流峰值
产品规格分类
产品名称封装形式打印名称环保等级包装方式
SVSP24N60FJDD2TO-220FJD-3LP24N60FJD无卤料管
SVSP24N60TD2TO-220-3LP24N60TD2无卤料管
杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.5
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士兰微电子SVSP24N60FJD(T)D2说明书
极限参数（除非特殊说明，T=25C）
J
参值
参数名称符号单位
SVSP24N60FJDD2SVSP24N60TD2
漏源电压
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