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SVT035R5ND(MJ)(T)说明书
100A、30VN沟道增强型场效应管
描述
SVT035R5ND(MJ)(T)N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用
士兰的LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有
较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
特点
100A，30V，RDS(on)（典型值）4.0m@VGS10V
低栅极电荷量
低反向传输电容
开关速度快
提升了dv/dt能力
产品命名规则
产品规格分类
产品名称封装形式打印名称环保等级包装
SVT035R5NDTRTO-252-2L035R5ND无卤编带
SVT035R5NMJTO-251J-3L035R5NMJ无卤料管
SVT035R5NTTO-220-3L035R5NT无铅料管
杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.1
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SVT035R5ND(MJ)(T)说明书
极限参数(除非特殊说明，TC25C)
参数范围
参数名称符号单位
SVT035R5ND/MJSVT035R5NT
漏源电压VDS30V
栅源电压VGS±20V
T25°C100
C
漏极电流IDA
T100°C63
C
漏极脉冲电流IDM400A
耗散功率（T25C）83104W
C
PD
0.70.8
-大于25C每摄氏度减少
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