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SVT044R5NT/D/L5说明书

178A、40VN沟道增强型场效应管

描述

SVT044R5NT/D/L5N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士

兰的LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较

低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。

特点

178A，40V低栅极电荷量

低反向传输电容

开关速度快

提升了dv/dt能力

产品规格分类

产品名称封装形式打印名称环保等级包装方式

SVT044R5NTTO-220-3L044R5NT无铅料管

SVT044R5NDTRTO-252-2L044R5ND无卤编带

SVT044R5NL5TRPDFN-8-5X6X0.95-1.27044R5NL5无卤编带

(T25C)

极限参数除非特殊说明，A

参数值

参数符号单位

SVT044R5NTSVT044R5NDSVT044R5NL5

漏源电压VDS40V

栅源电压VGS±20V

T25°C178

C

漏极电流T100°CI112A

CD

T25°C(受限于封装)160128105

C

漏极脉冲电流IDM640A

耗散功率（T25C）178112100W

C

PD

-大于25C每摄氏度减少1.420.900.8

W/C

单脉冲雪崩能量（注1）EAS612mJ

工作结温范围TJ-55～+150C

贮存温度范围Tstg-5