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SVT078R0NT/S说明书
88A、68VN沟道增强型场效应管
描述
SVT078R0NT/SN沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰
的LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低
的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
特点
88A，68V，RDS(on)（典型值）6.0m@VGS10V
低栅极电荷量
低反向传输电容
开关速度快
提升了dv/dt能力
产品规格分类
产品名称封装形式打印名称环保等级包装
SVT078R0NTTO-220-3L078R0NT无铅料管
SVT078R0NSTO-263-2L078R0NS无卤料管
SVT078R0NSTRTO-263-2L078R0NS无卤编带
(T25C)
极限参数除非特殊说明，C
参数值
参数名称符号单位
SVT078R0NTSVT078R0NS
漏源电压VDS68V
栅源电压VGS±25V
T25°C88
C
漏极电流IDA
T100°C65
C
漏极脉冲电流IDM352A
耗散功率（T25C）140140W
C
PD
-大于25C每摄氏度减少0.930.93
W/C
单脉冲雪崩能量（注1）EAS420mJ
工作结温范围TJ-55～+175C
贮存温度范围Tstg-55～+175C
杭州士兰微电子股份有限公司
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