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士兰微电子SVT1312NCS说明书

13.5A、12VN沟道增强型场效应管

描述

SVT1312NCSN沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的

LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的

导通电阻。

该产品可用于锂电保护电路。

特点

13.5A，12V，R=2.1m@V=4.5V

DS(on)（典型值）GS

芯片尺寸封装

无卤

符合RoHS环保标准

关键特性参数

参数参数值单位

VSS12V

VGS(th)0.35~1.4V

RDS(on),max2.75m

IS13.5A

Qg.typ36nC

产品规格分类

产品名称封装形式打印名称环保等级包装方式

SVT1312NCSTRFLCSP-10-2.94x1.45x0.12-0.8951312无卤编带

杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.1

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士兰微电子SVT1312NCS说明书

极限参数（除非特殊说明，T=25C）

J

参数值

参数符号测试条件单位

最小值典型值最大值

栅源电压VGS---8--8V

ISFR4board(26mm*26mm*1.0mm)----13.5A

源极电流

IS陶瓷基板(70mm*70mm*1.0mm)----29A

漏极脉冲电流(注1)ISPT=25C----135A

C

PDFR4board(26mm*26mm*1.0mm)----0.63W

耗散功率

PD陶瓷基板(70mm*70mm*1.0mm)----3.5W

工作结温范围TJ---55--150C

贮存温度范围