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基础能力训练

选择填空

1.Ⅱ－Ⅵ族化合物半导体起施主作用的缺陷是（）。

A.正离子填隙

B.正离子缺位

C.负离子填隙

2.下列哪个参数不能由霍尔效应确定（）

A.迁移率μ

B.载流子浓度

C.有效质量m*





3.非平衡电子的扩散电流密度Jn扩的方向是（）。

A.流密度Sn的方向

B.电子扩散方向

C.电子浓度梯度方向

4.有效陷阱中心的能级接近（）能级。

A.禁带中心能级

B.施主或受主能级

C.费米能级

5.在强电离区，N型半导体的费米能级位于（）

A.高于施主能级

B.低于施主能级

C.等于施主能级

6.在强电场下，随电场的增加，GaAs中载流子的平均漂移速率是（）

A.增加

B.减少

C.不变

7.直接复合时，小注入的N型半导体的非平衡载流子寿命τ主要决定于（）。

d

1

A.n

d0

1

B.p

d0

1

C.p

d

8.N型半导体的霍尔系数随温度的变化

A.从正变到负

B.从负到正

C.始终为负

9.有效复合中心的能级接近（）能级。

A.禁带中心能级E

i

B.施主或受主能级

C.费米能级E

F

10.对于某n型半导体构成的金－半阻挡层接触，加上正向电压时，随着电压

增加，阻挡层的厚度将逐渐（）。

A.变宽

B.不变

C.变窄