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CRSE120N10L2
华润微电子(重庆)有限公司SkyMOS2NMOSFET100,11.0m,11A
FeaturesProductSummary
•UsesCRM(CQ)advancedSkyMOS2technologyVDS100
•ExtremelylowonresistanceRDS(on)RDS(on)@10Vtyp11.0m
•ExcellentQxRproduct(FOM)RDS(on)@4.5Vtyp14.0m
gDS(on)
•QualifiedaccordingtoJEDECcriteriaID11A
Applications
•SynchronousRectificationforAC/DCQuickCharger
•Batterymanagement
100%100%AvalancheTestedAvalancheTested
•UPS(UninterrupiblePowerSupplies)
CRSE120N10L2
PackageMarkingandOrderingInformation
Part#MarkingPackagePackingReelSizeTapeWidthQty
CRSE120N10L2SE120N10L2SOP08TapeReelN/AN/A4000pcs
AbsoluteMaximumRatings
ParameterSymbolValueUnit
DrainsourcevoltageVDS100V
Continuousdraincurrent
TA=25°CID11A
T=75°C8
A
Pulseddraincurrent(T=25°C,tlimitedbyT)I44A
ApjmaxDpulse
Avalancheenergy,singlepulse(L=0.1mH,Rg=25Ω)EAS45mJ
GateSourcevoltageVGS±20V
Po
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