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CRSM013N06L4Z

华润微电子(重庆)有限公司SkyMOS3N-MOSFET60V,1mΩ,250A

FeaturesProductSummary

•UsesCRM(CQ)advancedSkyMOS4technologyVDS60V

•Extremelylowon-resistanceRDS(on)RDS(on).typ1mΩ

•ExcellentQxRproduct(FOM)ID250A

gDS(on)

•QualifiedaccordingtoJEDECcriteria

100%DVDSTested

Applications100%AvalancheTested

•Motorcontrolanddrive

•BatterymanagementSystem

•UPS(UninterrupiblePowerSupplies)

CRSM013N06L4Z

PackageMarkingandOrderingInformation

Part#MarkingPackagePackingReelSizeTapeWidthQty

CRSM013N06L4Z013N06L4ZPDFN5*6TapeN/AN/A4000/5000pcs

AbsoluteMaximumRatings

ParameterSymbolValueUnit

Drain-sourcevoltageVDS60V

Continuousdraincurrent

T=25°C(Siliconlimit)I250A

T=100°C(Siliconlimit)157

Pulseddraincurrent(T=25°C,tlimitedbyT)I1000A

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