半导体器件的侧墙形成方法 .pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN103515321A

(43)申请公布日2014.01.15

(21)申请号CN201210219026.6

(22)申请日2012.06.28

(71)申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

地址201203上海市浦东新区张江路18号

(72)发明人韦庆松于书坤

(74)专利代理机构北京德琦知识产权代理有限公司

代理人牛峥

(51)Int.CI

H01L21/8238

H01L21/336

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

半导体器件的侧墙形成方法

(57)摘要

本申请公开了一种半导体器件的侧

墙形成方法，包括：提供半导体器件的侧

墙形成前结构；在该侧墙形成前结构中的

伪多晶硅栅极两侧依次形成第一氧化硅侧

墙和第一氮化硅侧墙；在第一氮化硅侧墙

外依次形成第二氧化硅侧墙和第二氮化硅

侧墙；采用湿法刻蚀或者湿法与干法相结

合的刻蚀方法，对器件表面进行刻蚀，以

去除硬掩膜、部分第二氮化硅侧墙、部分

第二氧化硅侧墙、部分第一氮化硅侧墙和

部分第一氧化硅侧墙。与现有技术相比，

本发明不会出现竖起侧翼，使得伪多晶硅

栅极结构之间的空间的深宽比得以减小，

且呈现顶部开口大于底部的形状，随后所

沉积的层间介质层中不会产生空隙，对后

期的CMP过程乃至接触孔的制造奠定了良

好的条件基础。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1.一种半导体器件的侧墙形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体器件的侧墙形成前结构，所述侧墙形成前结构包括：衬底，所述衬底

中由浅沟槽隔离结构隔离出的NMOS区和PMOS区，所述NMOS区

和PMOS区上形成的伪多晶硅栅极，所述伪多晶硅栅极上沉积的

硬掩膜；

在NMOS区和PMOS区的伪多晶硅栅极两侧依次形成第一氧化硅侧墙和第一氮化

硅侧墙；

在NMOS区和PMOS区的伪多晶硅栅极两侧的第一氮化硅侧墙外依次形成第二氧

化硅侧墙和第二氮化硅侧墙；

采用湿法刻蚀或者湿法与干法相结合的刻蚀方法，对器件表面进行刻蚀，以去除

硬掩膜、部分第二氮化硅侧墙、部分第二氧化硅侧墙、部分第一氮化

硅侧墙和部分第一氧化硅侧墙。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的侧墙形成方法，其特征在于，所述第一氧

化硅侧墙厚度为0~35埃。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的侧墙形成方法，其特征在于，所述第二氧

化硅侧墙厚度为0~35埃。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的侧墙形成方法，其特征在于，所述湿法为

采用磷酸Hsub3/subPOsub4/sub溶液作为刻蚀液，所述干法

采用CFsub4/sub作为刻蚀反应气体。

5.根据权利要求1所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述的在NMOS

区和PMOS区的伪多晶硅栅极两侧依次形成第一氧化硅侧墙和第一

氮化硅侧墙，包括：

在整个结构表面依次沉积第一氧化硅层和第一氮化硅层；

形成保护NMOS区的光刻胶，对PMOS区的第一氮化硅层和第一氧化硅层进行刻

蚀，以在PMOS区的伪多晶硅栅极两侧形成第一氧化硅侧墙和第一

氮化硅侧墙；

形成保护PMOS区的光刻胶，对NMOS区的第一氮化硅层和第一氧化硅层进行刻