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士兰微电子SVS5N70F(D)(MJ)(K)D2说明书
5A,700V超结MOS功率管
描述2
1
2
SVS5N70F(D)(MJ)(K)D2N沟道增强型高压功率MOSFET采用3
TO-251J-3L
士兰微电子超结MOS技术平台制造,具有很低的传导损耗和开关损1
耗。使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。
此外,SVS5N70F(D)(MJ)(K)D2应用广泛。如,适用于硬/软开关3
拓扑。1.栅极2.漏极3.源极12
3
TO-262-3L
特点
5A,700V,RDS(on)(典型值)=0.8@VGS=10V
创新高压技术
1
低栅极电荷31
2
3
定期额定雪崩TO-252-2LTO-220F-3L
较强dv/dt能力
高电流峰值
产品规格分类
产品名称封装形式打印名称环保等级包装方式
SVS5N70FD2TO-220F-3L5N70FD2无卤料管
SVS5N70DD2TRTO-252-2L5N70DD2无卤编带
SVS5N70MJD2TO-251J-3L5N70MJD2无卤料管
SVS5N70KD2TO-262-3LSVS5N70KD2无卤料管
杭州士兰微电子股份有限公司版本号:1.2
http://
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