士兰微一级代理商SVS5N70D深圳恒锐丰科技.pdf

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士兰微电子SVS5N70D(MJ)(MN)(F)(MU)说明书

5A，700V超结MOS功率管

描述2

SVS5N70D(MJ)(MN)(F)(MU)N沟道增强型高压功率MOSFET采

用士兰微电子超结MOS技术平台制造，具有很低的传导损耗和开关1

损耗。使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。12

此外，SVS5N70D(MJ)(MN)(F)(MU)应用广泛。如，适用于硬/软3

开关拓扑。1.栅极2.漏极3.源极TO-220F-3L

特点

5A，700V，RDS(on)(典型值)=0.8@VGS=10VTO-252-2LTO-251U-3L

创新高压技术

低栅极电荷

定期额定雪崩2323

较强dv/dt能力TO-251J-3LTO-251N-3L

高电流峰值

产品规格分类

产品名称封装形式打印名称环保等级包装方式

SVS5N70DTRTO-252-2LSVS5N70D无卤编带

SVS5N70MJTO-251J-3LSVS5N70无卤料管

SVS5N70MNTO-251N-3L5N70MN无卤料管

SVS5N70FTO-220F-3LSVS5N70F无卤料管

SVS5N70MUTO-251U-3LSVS5N70MU无卤料管

极限参数（除非特殊说明，T=25C）

参数值

参数名称

该用户很懒，什么也没介绍

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