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第一章测试
1.电路如图所示，二极管采用硅管，电阻R＝1kΩ，E＝3V,用理想模型求UR
的值等于3V
A:错
B:对
答案:B
2.电路如图所示，二极管采用硅管，电阻R＝1kΩ，E＝3V,用理想模型求UR
的值等于0V
A:对
B:错
答案:A
3.电路如图所示，二极管采用硅管，电阻R＝1kΩ，E＝3V,硅管的正向导通电
压可取0.7V,用恒压降模型求UR的值等于（）V
A:1
B:0
C:2
D:3
答案:B
4.电路如图所示，二极管VD1、VD2用恒压降模型，正向导通电压均为0.7V，
假如输入端uA=3V，uB=0V,求uy=（）V
A:2.2
B:2.1
C:2.3
D:2.4
答案:C
5.稳压管的动态电阻愈大，稳压性能也就愈好
A:错
B:对
答案:A
6.稳压管的正常工作区是反向区
A:错
B:对
答案:A
7.二极管恒压降模型，是指二极管承受正向电压导通时，其管压降为恒定值，
且不随电流而变化
A:错
B:对
答案:B
8.扩散电容是PN结加正向电压时，多数载流子在扩散过程中引起电荷积累而
产生的
A:错
B:对
答案:B
9.当电源的正极接P区，负极接N区，称为PN结加正向电压，也称PN结正
向偏置
A:对
B:错
答案:A
10.在半导体材料中，本征半导体的自由电子浓度等于空穴的浓度
A:错
B:对
答案:B
第二章测试
1.共集电极放大电路的电压放大倍数接近于（）
A:3
B:2
C:1
D:4
答案:C
2.共集电极放大电路的输入电阻比较高
A:对
B:错
答案:A
3.共集电极放大电路的输出电阻比较低
A:错
B:对
答案:B
4.共基极电路的频率响应好，常用作宽带或高频放大电路
A:对
B:错
答案:A
5.直接耦合方式不仅可以使缓变信号获得逐级放大，而且便于电路集成化
A:对
B:错
答案:A
6.不管三极管工作在放大、截止还是饱和状态，都满足IC=BIB，这种说法正
确吗
A:错
B:对
答案:A
7.若要求管子的反向电流小，工作温度高，则应选锗管
A:对
B:错
答案:B
8.由于ICBO对温度非常敏感，当温度升高时，ICBO增高很快，所以ICEO增
加得也很快，IC也就相应增加
A:错
B:对
答案:B
9.Ul＝-2V，U2＝-5V，U3＝-2.3V，锗管。3脚为B极，1脚为E极，2脚为
C极
A:对
B:错
答案:A
10.Ul＝8V，U2＝2V，U3＝2.7V，为硅管。3脚为B极，2脚为E极，1脚为
C极
A:错
B:对
答案:B
第三章测试
1.N沟道耗尽型MOS管的uGS在一定范围内。
A:为正
B:可正可负
C:为负
答案:B
2.N沟道结型场效应管正常工作，应在其栅源之间加正向电压
A:错
B:对
答案:A
3.结型场效应管栅源之间的PN结反向偏置，因此，其输入电阻很高。
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