平面双扩散金属氧化物半导体器件及其制作方法 .pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN101350309A

(43)申请公布日2009.01.21

(21)申请号CN200810119488.4

(22)申请日2008.09.01

(71)申请人北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司

地址100871北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦513

(72)发明人陈洪宁方绍明刘鹏飞王新强陈勇

(74)专利代理机构北京同达信恒知识产权代理有限公司

代理人李娟

(51)Int.CI

H01L21/336

H01L29/36

H01L29/08

H01L29/78

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

平面双扩散金属氧化物半导体器件

及其制作方法

(57)摘要

本发明公开了一种平面双扩散金属

氧化物半导体器件及其制作方法，用以减

小现有平面双扩散金属氧化物半导体的接

触电阻，提高平面双扩散金属氧化物半导

体的性能。该方法包括：对晶圆背面进行

硅腐蚀之后，向所述晶圆背面注入与所述

晶圆中已有的第一掺杂原子不相同的第二

掺杂原子；激活向晶圆背面注入的所述掺

杂原子，清洗所述晶圆；在晶圆背面蒸发

金属。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1、一种平面双扩散金属氧化物半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

对晶圆背面进行硅腐蚀之后，向所述晶圆背面注入与所述晶圆中已有的第一掺杂原

子不相同的第二掺杂原子；

激活向晶圆背面注入的所述掺杂原子，清洗所述晶圆；

在晶圆背面蒸发金属。

2、如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二掺杂原子包括磷原子。

3、如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，通过褪火激活所述掺杂原子。

4、一种平面双扩散金属氧化物半导体器件，包括经过硅腐蚀和背面蒸发金属的晶

圆，其特征在于，所述晶圆的经过硅腐蚀的面的表层内包括与所述晶圆中已有的第

一掺杂原子不相同的且被激活的第二掺杂原子。

5、如权利要求4所述的平面双扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述第

二掺杂原子包括磷原子。

6、一种经过硅腐蚀的晶圆，其特征在于，所述晶圆的经过硅腐蚀的面的表层内包

括与所述晶圆中已有的第一掺杂原子不相同的且被激活的第二掺杂原子。

7、如权利要求6所述的晶圆，其特征在于，所述第二掺杂原子包括磷原子。

说明书

技术领域

本发明涉及半导体芯片技术领域，尤其涉及一种平面双扩散金属氧化物半导体器件

的制作技术。

背景技术

双扩散晶体管(DoublediffusedMOS，DMOS)是一种金属氧化物半导体场效应晶体

管(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor，MOSFET)，利用扩散来形成

其晶体管区域。双扩散晶体管通常被用以作为用于高电压的功率集成电路中的功率

晶体管，在低顺向压降的要求下，提供较高的每单位面积电流。

双扩散晶体管的一种类型是PlanarDMOS(PlanarDouble-

diffusedMetalOxideSemiconductor，平面双扩散金属氧化物半导体)，传统制作

PlanarDMOS器件的工艺是在制作完成晶圆(wafer)的正面之后，进行晶圆正面的贴

膜保护、晶圆背面的减薄、晶圆背面的硅腐蚀、去掉晶圆正面的贴膜并清洗晶圆、

在晶圆背面蒸发金属(Backmetal)形成晶圆背面的金属、测试等流程，最终得到

PlanarDMOS。

其中，如图1所示，背金和晶圆之间的接触电阻(Rc，contactresistance)是一个重要

的电性参数，对于PlanarDMOS器件，接触电阻越小，源漏二极管正向导通电压

(V