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CRSM079N10L4Z

华润微电子(重庆)有限公司SkyMOS4NMOSFET100V,6.5m,60A

FeaturesProductSummary

•UsesCRM(CQ)advancedSkyMOS4technologyVDS100V

•ExtremelylowonresistanceRDS(on)RDS(on).typ6.5m

•ExcellentQxRproduct(FOM)ID60A

gDS(on)

•QualifiedaccordingtoJEDECcriteria

100%DVDSTested

Applications100%AvalancheTested

•SynchronousRectificationforAC/DCQuickChargr

•BatterymanagementSystem

•UPS(UninterrupiblePowerSupplies)

CRSM079N10L4Z

PackageMarkingandOrderingInformation

Part#MarkingPackagePackingRlSizTapeWidthQty

CRSM079N10L4Z079N10L4ZDFN5X6TapeRlN/AN/A4k/5k

AbsoluteMaximumRatings

ParameterSymbolValueUnit

DrainsourcevoltagVDS100V

Continuousdraincurrent

T=25°C(Siliconlimit)70

IDA

T=25°C(Packagelimit)60

TC=100°C(Siliconlimit)45

Pulseddraincurrent(T=25°C,tlimitedbyT)I240A

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