半导体生产测试技术发展路线图 .pdfVIP

维普资讯

技术长廊栏目编辑ｌｌ

韩汝水ＩＩ

制程

半导体生产测试技术发展路线图

ＭｅｔｒｏｌｏｇｙＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙＲｏａｄｍａｐｆｏｒＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＭａｎｕｆａｃｔｕｒｅ

半导体产、Ｉｋ在过去４Ｏ年的微细化过程中料与污染评价，集中测试，标准测定系统，测

增大了集成度，大幅度提高了每个芯片上的功试标准物质，新探索器件的评价，分析与测试

能和容量，降低了每一功能的成本。在半导体技术等，综合列如表１和表２。

牛产＿Ｔ艺中，圆片上的细微图形是否按设计值就各项测试来看，显微镜观察固能获得

进行稳定的加工，而必须进行监视。随着细微显示图形形状及外观的数字图像，用于缺陷

化的逐年进展，工艺的管理面越来越小，与此及异物检测、评价及自动分类，并广泛应用

同时，对测试设备、检测没备所要求的分辨能于ＣＤ（高要求尺寸）尺寸检测、重叠检测等。

力，检测灵敏度及测试再现性的精度要求值则作为２维观察、检测手段，目前广泛采用的是

吏严格了。在这一趋势中，测试检查设备牛产扫描电子显微镜观察（ＳＥＭ）。它们都是非破

厂商要求…种技术发展路线图作为经营指南。坏性的检测手段，但除横向图形外还需纵向

测试技术发展路线图分为测试技术总体技图形的评价时，则需ＦＩＢ（聚焦离子束），ＴＥＭ（

Ｖ表１测试技术中术课题，技术要求与可能的解决办法，显微镜穿透电子显微镜）及ＳＴＥＭ（扫描型穿透电子

观察，光刘测试，前端工艺测试，布线测试，材显微镜）等破坏性检测，这也开始用于Ｃｕ布

期发展路线图

生产年份２００３２００４２００５２００６２００７２００８２００９Ｄｒｉｖｅｒ

技术结点Ｈｐ９０Ｈｐ６５

ＤＲＡＭ］／２￣】１＂ｌＥ（ｎｍ）１０Ｏ９０８０７０６５５７５Ｏ

ＭＰＵ／ＡＳＩＣ金属１ＭＩ（）Ｉ／２间距（ｎｍ）１１２０１０７９５８５７６６７６０ＭＰＵ／ＡＳＩＣ

ＭＰＵ／ＡＳＩＣ无接触多层型１／２间距（ｎｍ）