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半导体物理基础与器件原理考核试卷

考生姓名：__________答题日期：_______年__月__日得分：_________判卷人：_________

一、单项选择题（本题共20小题，每小题1分，共20分，在每小题给出的四个选项中，只

有一项是符合题目要求的）

1.半导体的导电性能介于导体和绝缘体之间，主要是因为其（）

A.导带电子浓度高

B.价带电子浓度高

C.禁带宽度较小

D.电子和空穴浓度相等

2.以下哪种材料不是典型的半导体材料？（）

A.硅

B.锗

C.铜

D.砷化镓

3.半导体的本征载流子浓度主要取决于（）

A.温度

B.材料的纯度

C.材料的掺杂类型

D.材料的禁带宽度

4.N型半导体中，主要的载流子是（）

A.电子

B.空穴

C.正离子

D.负离子

5.P型半导体中，主要的载流子是（）

A.电子

B.空穴

C.正离子

D.负离子

6.下列哪种现象不是光生伏特效应的基本原理？（）

A.光电导效应

B.光生电荷分离

C.PN结的光生电动势

D.电阻的变化

7.在一个理想的PN结中，当光照停止后，电容会（）

A.立即消失

B.逐渐减小

C.保持不变

D.逐渐增大

8.二极管正向偏置时，其正向电流与（）成正比。

A.电压

B.电阻

C.温度

D.光强

9.以下哪种情况，二极管正向电流会显著增加？（）

A.温度上升

B.反向电压增加

C.正向电压减小

D.环境光照增强

10.三极管的放大作用是基于（）。

A.双极型晶体管原理

B.场效应晶体管原理

C.PN结的整流作用

D.欧姆定律

11.对于NPN型晶体管，以下哪种条件可以使晶体管导通？（）

A.VBE0,VBC0

B.VBE0,VBC0

C.VBE0,VBC0

D.VBE0,VBC0

12.场效应晶体管（FET）与双极型晶体管（BJT）在结构上的主要区别是（）。

A.FET有一个栅极，BJT没有

B.BJT有一个基极，FET没有

C.FET的源极和漏极可以互换，BJT不行

D.BJT使用PN结，FET使用金属-半导体结

13.在MOSFET中，当栅极电压低于阈值电压时，器件处于（）状态。

A.导通

B.截止

C.饱和

D.反向导通

14.下列哪种情况会导致MOSFET的漏极电流增大？（）

A.栅极电压降低

B.源极电压升高

C.漏极电压降低

D.栅极和源极之间的电压增大

15.红外探测器通常是基于（）原理。

A.光电导效应

B.光伏效应

C.热电效应

D.磁电效应

16.光电二极管在无光照条件下，其工作原理类似于（）。

A.发光二极管

B.普通二极管

C.光电池

D.电阻

17.在集成电路中，CMOS技术的主要优点是（）。

A.功耗低

B.速度快

C.驱动能力强

D.所有以上选项

18.下列哪种器件不适用于数字电路？（）

A.BJT

B.MOSFET

C.JFET

D.二极管整流桥

19.下列哪种材料最适合用于制造蓝光LED？（）

A.硅

B.锗

C.砷化镓

D.硅化镉

20.对于一个理想的太阳能电池，其开路电压主要取决于（）。

A.光照强度

B.太阳能电池的面积

C.环境温度

D.材料的禁带宽度

（以下为答题纸部分，请考生在答题纸上填写答案。）

二、多选题（本题共20小题，每小题1.5分，共30分，在每小题给出的四个选项中，至少

有一项是符合题目要求的）

1.下列哪些因素会影响半导体的导电性？（）

A.温度

B.杂质浓度

C.�禁带宽度

D.外部电场

2.以下哪些是常见的半导体掺杂元素？（）

A.硼

B.磷

C.锑

D.铝

3.PN结的形成过程中，以下哪些现象会发生？（）

A.电子从N区向P区扩散

B.空穴从P区向N区扩散

C.在N区附近形成正电荷区

D.在P区附近形成负电荷区

4.下列哪些条件会使PN结导通？（）

A.正向偏置

B.反向偏置

C.PN结两侧的电压相等

D.光照

5.以下哪些是二极管的常见应用？（）

A.整流

B.开关

C.